Новое семейство IGBT-транзисторов L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 с тонкой подложкой специально разработано для работы на низких частотах переключения от 50 Гц до 20 кГц.
Новый класс IGBT-транзисторов с низким напряжением насыщения VCE(sat) можно встретить в источниках бесперебойного питания, солнечных инверторах и сварочных системах. Семейству приборов L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 с тонкой подложкой свойственны очень низкие потери на переключение, которые были дополнительно снижены за счёт оптимизации несущего профиля. При типовом значении напряжения VCE(sat) = 1.05 В при температуре 25°C новые транзисторы позволяют увеличить КПД схемы на 0.1% в топологии NPC 1 и на 0.3% в топологии NPC 2 по сравнению с предыдущим поколением IGBT-транзисторов серии TRENCHSTOP. За счёт положительного температурного коэффициента напряжения VCE(sat) высокое значение КПД сохраняется на одном уровне, что является образцовым промышленным показателем для ключей на IGBT-транзисторах, работающих на частотах ниже 20 кГц.
Использование при производстве семейства L5 технологии TRENCHSTOP 5 приводит к несравнимо более низким потерям проводимости, а также уменьшает общие потери на переключение до величины 1.6 мДж при температуре 25°C. Первые транзисторы семейства L5 выпускались в 3-выводном корпусе промышленного стандарта TO-247. В дальнейшем для приложений с повышенными требованиями к КПД компания Infineon предложила эти приборы в 4-выводном корпусе TO-247 с Кельвин-эмиттер. Последние отличаются сниженными на 20% потерями на переключение.
| Типовая схема включения IGBT-транзисторов семейства L5 TRENCHSTOP™ 5 |
Отличительные особенности:
- Низкий уровень напряжения насыщения VCE(sat): 1.05 В
- Низкие потери на переключение: 1.6 мДж при температуре 25°C и токе коллектора 30 А
- Нестабильность электрических параметров при изменении температуры в диапазоне от 25°C до 175°C: не более 2%
- Снижение потерь на переключение на 20% за счёт использования 4-выводного корпуса TO-247 с Кельвин-эмиттером
- Высокая эффективность на частоте переключения 50 Гц
- Увеличенный срок службы и высокая надёжность
- Надёжность расчёта схем благодаря термостабильности электрических параметров транзистора
Область применения:
- Источники бесперебойного питания, выполненные по топологии NPC1 и NPC2
- Солнечные инверторы модифицированной топологии HERIC
- Сварочные аппараты с переменным выходным напряжением (сварочный инвертор с электродами из алюминий-марганцевой проволки AL/MG)
| Корпус | TO-247 | TO-247 | TO-247 | TO-247 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|---|
| Наименование | IKW30N65EL5 | IKW30N65NL5 | IGW30N65L5 | IKW75N65EL5 | IKZ75N65EL5 |
| IC (А) |
30 | 30 | 30 | 75 | 75 |
| VCE(sat) (В) |
1.05 | 1.05 | 1.05 | 1.05 | 1.05 |
| VBR (В) |
650 | 650 | 650 | 650 | 650 |
| QG (нК) |
168 | 168 | 168 | 436 | 436 |
| EON (мДж) |
0.47 | 0.56 | 0.47 | 1.61 | 1.57 |
| EOFF (мДж) |
1.35 | 1.35 | 1.35 | 3.20 | 3.20 |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку