Поддерживает работу на частотах свыше 1 МГц
SiC779CD — интегральное решение на основе технологии DrMOS (Driver-MOSFET), объединившее ШИМ-оптимизированную схему n-канальных полевых транзисторов верхнего и нижнего плечей, полнофункциональный драйвер MOSFET-транзисторов и ограничительный диод в одном низкопрофильном, термостойком 40-выводном корпусе PowerPAK® MLP, размером 6 х 6 мм. Полностью отвечающая требованиям спецификации DrMOS 4.0, новая ИС SiC779CD обеспечивает частоту коммутации свыше 1 МГц и эффективность более 93%.
Передовая схема драйвера затвора, реализованная в SiC779CD, принимает сигнал от контроллера стабилизатора напряжения на единственный ШИМ-вход и преобразует его в сигналы управления затворами полевых транзисторов верхнего и нижнего плечей. 5-вольтовый ШИМ-вход устройства совместим со всеми контроллерами и оптимизирован для работы с контроллерами, оснащенными ШИМ-выходом с тремя состояниями.
Драйвер затвора SiC779CD содержит схему автоматического определения условий неполной нагрузки и может самостоятельно переключаться в режим пропуска импульсов (SMOD) в системах, оптимизированных для эффективной работы при неполной нагрузке. Адаптивный механизм управления временем запаздывания (dead time) также позволяет увеличить эффективность при любых условиях нагрузки.
Интеграция схемы драйвера и силовых MOSFET-транзисторов в SiC779CD позволила снизить потери мощности и уменьшить влияние паразитных сопротивлений, связанных с реализацией высокочастотного дискретного силового каскада. Пользователь получает целый ряд преимуществ, включая высокочастотную коммутацию для лучшей переходной характеристики, возможность сэкономить на компонентах выходного фильтра и получить максимальную плотность мощности в многофазных системах питания процессорных ядер.
| Типовая схема включения SiC779CD |
Отличительные особенности:
- Лучшие в отрасли MOSFET-транзисторы третьего поколения (Gen III), интегрированный диод Шоттки и DrMOS-совместимый драйвер затвора
- Низкопрофильный, термостойкий 40-выводной корпус PowerPAK® MLP, размером 6 х6 мм
- Рабочая частота более 1 МГц
- Легко достигает эффективности свыше 93% в многофазных, низковольтных системах питания
- Логический уровень 5 В на ШИМ-входе
- Низкий уровень «звона» на выходе VSWH снижает электромагнитное излучение
- Выходной постоянный ток до 40 А
- Диапазон входного напряжения: 3…16 В
- Пороговое напряжение полевого транзистора оптимизировано для работы с 5-вольтовым драйвером затвора
- Автоматический переход в режим пропуска импульсов (SMOD) для работы при неполной нагрузке
- Адаптивная схема управления временем запаздывания
- Блокировка при недопустимом снижении напряжения (UVLO)
- Защита от сквозных токов
- Флаг сигнализации перегрева
- Не содержит галогенов в соответствии с требованиями IEC 61249-2-21
- Отвечает требованиям директивы RoHS 2002/95/EC
| Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на SiC779CD (англ.)
Спецификация 1.0 стандарта DrMOS компании Intel (англ.)