Новые IGBT-транзисторы семейства TRENCHSTOP™ 5 S5 предназначены для применения в схемах с частотой коммутации от 10 кГц до 40 кГц и обеспечивают более высокое КПД, меньшее время вывода на рынок конечного продукта, упрощают топологию печатной платы и снижают стоимость комплектующих.
Транзисторы снабжены функциями, позволяющими разработчикам достигать поставленных целей без увеличения сложности схемы:
- Статическое поведение – низкое значение положительного температурного коэффициента напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) позволяет включать несколько транзисторов параллельно без ущерба эффективности при высоких температурах. При температуре 175°C типовая величина данного параметра не превышает 1.6 В.
- Динамическое поведение – постоянная величина сопротивления резистора в цепи затвора для выбора состояния включено/выключено благодаря плавной характеристике переключения. Чистые сигналы управления затвором, плавная характеристика di/dt при включении и dv/dt при выключении, а также низкая величина и высокая симметричность выброса напряжения на фронте импульса.
| Эволюция IGBT-транзисторов компании Infineon |
| Наименование | IC @100°C (А) |
VCE(sat) (В) |
EON (мДж) |
EOFF (мДж) |
QG (нКл) |
IF @100°C (А) |
Qrr (мкКл) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKW30N65ES5 | 39.5 | 1.35 | 0.56 | 0.32 | 70 | 39.5 | 0.83 |
| IKW40N65ES5 | 50 | 1.35 | 0.86 | 0.4 | 95 | 50 | 1.1 |
| IKW50N65ES5 | 60.5 | 1.35 | 1.23 | 0.55 | 120 | 60.5 | 1.25 |
| IKW75N65ES5 | 80 | 1.42 | 2.40 | 0.95 | 164 | 80 | 1.8 |
Отличительные особенности:
- Очень низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) при температуре 25°C: 1.35 В, что на 20% меньше, чем у транзисторов семейства TRENCHSTOP™5 H5
- Максимальный ток коллектора IC(n) при температуре 100°C в 4 раза выше номинального
- Плавный спад переходных токовых характеристик с отсутствием выбросов тока
- Низкая величина и высокая симметричность выброса напряжения на фронте импульса
- Управляемый уровень напряжения затвор-эмиттер гарантирует отсутствие паразитной генерации и нежелательного включения прибора, а также исключает применение специальных схем для контроля данного напряжения
- Максимальная температура перехода: TJ=175°C
- Транзистор сертифицирован по стандартам JEDEC
Преимущества:/b>
- Не требуется использование схем контроля пикового напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(peak)
- Подходит для схем с одним резистором включения/выключения в цепи затвора
- Не требуются компоненты контроля напряжения на затворе и драйверы затвора с подавлением эффекта Миллера
- Пониженные требования к фильтрации электромагнитных помех
- Превосходные возможности параллельного включения нескольких транзисторов
Область применения:
- Схемы с жесткими режимами переключения
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- Системы на основе фотоэлектрических компонентов
- Накопители энергии
- Зарядные устройства
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на IKW30N65ES5 (англ.)
Документация на IKW40N65ES5 (англ.)
Документация на IKW50N65ES5 (англ.)
Документация на IKW75N65ES5 (англ.)