5 А, 100 В полумостовой драйвер затвора GaN FET-транзисторов, работающих в режиме обогащения
LM5113 — это высокоинтегрированный, 5-амперный, 100-вольтовый полумостовой драйвер затвора, позволяющий увеличить плотность мощности и эффективность высоковольтных приложений.
LM5113 предназначен для управления полевыми транзисторами на основе нитрида галлия (GaN FET), работающих в режиме насыщения, верхнего и нижнего плеча в синхронной повышающей или полумостовой конфигурациях. «Плавающий» драйвер верхнего ключа способен управлять GaN FET транзисторами с режимом насыщения с рабочим напряжением до 100 В. Напряжение смещения верхнего ключа генерируется методом подпитки (bootstrap) и внутренне ограничено уровнем 5 В, не позволяя напряжению затвора превысить максимально допустимое напряжение затвор-исток GaN FET транзистора с режимом насыщения. Входы LM5113 совместимы с логическим TTL уровнем и способны выдерживать напряжение вплоть до 14 В, не зависимо от напряжения питания VDD. LM5113 имеет независимые выходы затворов, что обеспечивает высокую гибкость регулирования интенсивности включения и выключения.
| Типовая схема включения |
Отличительные особенности:
- Независимые, TTL-совместимые выходы управления драйверов верхнего и нижнего ключа
- Пиковый ток: сток — 1.2 А; исток — 5 А
- «Плавающая» шина напряжения смещения верхнего ключа до 100 В (постоянного тока)
- Независимые выходы для регулировки интенсивности включения/выключения
- Стягивающее / подтягивающее сопротивление: 0.5 Ом / 2 Ом
- Малое время задержки распространения сигнала: 30 нс (тип.)
- Высокий уровень согласования времени задержки: 2 нс (тип.)
- Схема защиты от недопустимого снижения напряжения (UVLO) шины питания
- Малый ток потребления
- Температура перехода: -40…+125°C
- 10-выводной корпус LLP, размером 4 х 4 мм
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на LM5113 (англ.)