Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: NXP: 25-/30-вольтовые MOSFET-транзисторы серии NextPower в корпусах LFPAK
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

NXP: 25-/30-вольтовые MOSFET-транзисторы серии NextPower в корпусах LFPAK

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 2 минут
Поделиться

Компактнее, быстрее, холоднее

Компания NXP представляет серию высокопроизводительных, N-канальных MOSFET-транзисторов логического уровня в корпусах LFPAK.

Новые транзисторы серии NextPower от компании NXP обеспечивают уникально сбалансированные характеристики по шести наиболее важным параметрам, необходимым в современных высокоэффективных и надежных приложениях.

Большинство производителей фокусирует внимание на оптимизации только таких параметров как сопротивление открытого канала RDS(ON) и заряд затвора QG. Поскольку величина заряда затвора постоянно снижается, потери, связанные с величиной выходного заряда QOSS и заряда затвор-сток QGD, становятся более существенными. Транзисторы NextPower используют технологию суперперехода (Superjunction), обеспечивая оптимальный баланс между низкими значениями сопротивления открытого канала, выходного заряда, суммарного заряда затвора и заряда затвор-сток для максимальной эффективности коммутации.

Транзисторы серии NextPower также отличаются минимальным уровнем RDS(ON), не превышающим 1 мОм, как для 25- так и для 30-вольтовых версий.

Отличительные особенности:

  • Высокая эффективность
  • Транзисторы в корпусе Power-SO8 с минимальным в отрасли сопротивлением открытого канала: менее 1 мОм для 25- и 30-вольтовых версий
  • Низкое значение выходного заряда QOSS снижает потери между стоком и истоком
  • Низкое значение заряда затвор-сток QGD снижает потери коммутации
  • 20-вольтовый затвор увеличивает стойкость к скачкам напряжения
  • Улучшенные характеристики области безопасной работы (Safe Operating Area — SOA) по сравнению с Trench MOSFET-транзисторами других производителей
  • Оптимизированы для управления затвором напряжением 4.5 В
  • Оптимальные параметры коммутации при неполной и полной нагрузках
  • Корпус LFPAK совместим по посадочным местам с корпусом Power-SO8 других производителей
  • Отсутствие необходимости в рентгеновском контроле — контактные площадки корпуса LFPAK допускают визуальный контроль монтажа

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Брошюра по MOSFET-транзисторам серии NextPower компании NXP (англ.)

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья National Products fromTI: LM3448 — автономный драйвер светодиодов с функцией фазового диммирования и интегрированным полевым транзистором
Следующая статья SIMCom Wireless Solutions: SIM900B — GSM/GPRS модуль
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

SIMCOM Wireless Solutions: SIM808 — четырёхдиапазонный модуль GSM/GPRS с функцией спутниковой GPS навигации

Время чтения: 3 минут

Freescale Semiconductor: MPC8308 — недорогой коммуникационный процессор с высокоскоростной периферией для встраиваемых систем

Время чтения: 2 минут

Infineon Technologies: TRENCHSTOP™ 5 S5 — новое семейство IGBT-транзисторов на 650 В с быстровосстанавливающимся встречно параллельным диодом, рассчитанным на весь диапазон рабочих токов

Время чтения: 3 минут

IDT: IDTP9020 / IDTP9030 — беспроводное решение передачи энергии на расстояние

Время чтения: 3 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?