Кремний-германиевый сверхвысокочастотный NPN-транзистор для быстродействующих малошумящих схем в пластиковом корпусе SOT343F. Прибор имеет два вывода эмиттера.
Новейшая модель транзистора BFU768F является представителем семейства, в которое входят приборы, выполненные на основе кремний-германиевого с добавлением углерода (SiGe:C) технологического процесса, а также сочетающие в себе биполярную и КМОП-технологию для СВЧ-радиодиапазона (QUBiC4 Si). Данная модель обладает очень низким собственным шумом при высоком коэффициенте усиления и работе в слаботочном режиме. Это позволяет строить радиоприёмные устройства с малым напряжением питания и надёжной работой в условиях сильных помех.
Отличительные особенности:
- Низкий уровень собственных шумов и высокая линейность
- Произведен с использованием высоконадежного технологического процесса QUBiC4 SiGe:C (fT = 110 ГГц)
- Оптимальная линейность для режима малых токов и высокого усиления
- Низкий уровень шума: 0.50 дБ на частоте 2.4 ГГц и 0.74 дБ – на 5.8 ГГц
- При использовании этого транзистора в малошумящих усилителях для систем Wi-Fi нелицензируемых диапазонов ISM 2,4 ГГц и U-NII 4,9 – 5,9 ГГц сокращается число дискретных компонентов схемы. Оптимальными для этого случая являются следующие характеристики:
- Малый ток: 10.8 мА
- Коэффициент шума < 1.2 дБ
- Усиление: 13.1 дБ на частоте 2.4 ГГц и 12.2 дБ — на 5 ГГц
- Уровень интермодуляционных искажений третьего порядка по входу (IP3i) : 15.7 дБм на 2.4 ГГц, 18.8 дБм на 5 ГГц
- Очень малое время переключения
- Высокая стабильность
Область применения:
- Схемы с высокой линейностью
- Усилители средней выходной мощности
- Беспроводные системы Wi-Fi / WLAN / WiMAX
- Сетевые протоколы ZigBee
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на BFU768F (англ.)