Новое семейство TK100 сверх эффективных, высокоскоростных MOSFET–транзисторов компании Toshiba отличается непревзойденным сочетанием исключительно малого сопротивления канала в открытом состоянии и малой входной емкости.
Семейство представлено транзисторами с номинальным рабочим напряжением от 60 В до 120 В (в настоящий момент доступны устройства с напряжением до 100 В) и позволяет разработчикам уменьшить размеры и повысить эффективность и производительность узлов вторичного синхронного выпрямления в импульсных блоках питания. Использование восьмого поколения N-канального технологического процесса U-MOSVIII-H компании Toshiba обеспечило снижение произведения сопротивления открытого канала на входную емкость (основной показатель качества MOSFET-транзисторов) до 42% по сравнению с устройствами предыдущих поколений.
Данный технологический процесс, помимо повышения общей эффективности приложений за счет снижения потерь проводимости и переключения, обеспечивает значительное увеличение скорости коммутации транзисторов, а также позволяет свести к минимуму уровень излучаемого электромагнитного шума. Лучшие в своем классе устройства семейства TK100 рассчитаны на рабочее напряжение 80 В (TK100E08N1 и TK100A08N1) и 100 В (TK100E10N1 и TK100A10N1). Типовое значение сопротивления открытого канала транзисторов TK100х08 составляет 2.6 мОм (при напряжении на затворе 10 В), типовое значение входной емкости всего 9100 пФ. Аналогичные показатели для устройств TK100х10 составляют, соответственно, 2.8 мОм для корпусов TO-220 (или 3.2 мОм для корпусов TO-220SIS) и 8800 пФ.
Отличительные особенности:
- TK100х08:
- Рабочее напряжение 80 В
- Допустимый средний рабочий ток до 100 А (ограничен характеристиками корпуса)
- Малое сопротивление канала в открытом состоянии: 2.6 мОм при напряжении затвора 10 В
- Малая входная емкость: 9100 пФ
- Диапазон рабочих температур от -55°C до +150°C
- TK100х10:
- Рабочее напряжение 100 В
- Допустимый средний рабочий ток до 100 А (ограничен характеристиками корпуса)
- Малое сопротивление канала в открытом состоянии: 2.8 мОм для устройств в корпусах TO-220 или 3.2 мОм для устройств в корпусах 220SIS при напряжении затвора 10 В
- Малая входная емкость: 8800 пФ
- Диапазон рабочих температур от -55°C до +150°C
Область применения:
- Сетевые адаптеры
- Промышленное оборудование
- Серверы
- Системы питания телекоммуникационных приложений
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Веб-страница Toshiba по MOSFET-транзисторам серии TK100
Документация на TK100A08N1 (англ.)
Документация на TK100E10N1 (англ.)