По-настоящему автомобильный силовой корпус с посадочным местом SO8
Компания NXP предлагает автомобильные MOSFET-транзисторы в инновационном корпусе LFPAK. Его уникальная конструкция позволила получить надежный корпус с посадочным местом SO8, который обладает высокой тепловой эффективности и соответствует стандарту AEC Q101. В настоящее время доступны транзисторы с 30 различными значениями RDS(ON) на напряжения от 30 до 100 Вольт.
MOSFET-транзисторы компании NXP, размещенные в корпусе LFPAK с улучшенными теплорассеивающими свойствами, оптимизированы для использования в автомобильной электронике с высокой плотностью мощности. Корпус LFPAK отличается уникальным сочетанием очень малого сопротивления корпуса, высокой надежности и отличных тепловых характеристик. При этом, корпус является еще и миниатюрным. Это означает, что его можно установить в любой части автомобиля, где это максимально необходимо.
Поиск свободного пространства для автомобильной системы становится ключевой проблемой, особенно под капотом. Чтобы удовлетворить требования к коммутации сильноточных нагрузок, современные MOSFET-транзисторы должны обладать идеальными тепловыми характеристиками. В ответ на такую потребность, компания NXP разработала корпус LFPAK, который гарантирует отличные значения сопротивления открытого канала и тепловых характеристик в рамках чрезвычайно компактного корпуса. Объединением двух технологий компании NXP, TrenchMOSTM и LFPAK, был создан компактный силовой коммутатор, который может использоваться во многих применениях, где прежде использовались только громоздкие дискретные силовые корпуса. Благодаря особой конструкции подключения истока в корпусе LFPAK, преодолены ограничения стандартного корпуса SO8 и достигнуты тепловые сопротивления, сопоставимые с более крупными корпусами, как, например, DPAK. В обычных силовых корпусах основной путь передачи тепла проходит вертикально вниз через контактные площадки и печатную плату. У корпуса же LFPAK существенная часть тепла отводится вверх через вывод истока. Новые транзисторы сертифицированы на соответствие жестким требованиям стандарта AEC-Q101 и могут использоваться в разнообразных применениях, где важную роль играют малые размеры, отличные тепловые характеристики и невысокая стоимость.
Отличительные особенности
- Корпус с низкой индуктивностью и малым температурным сопротивлением
- Размеры аналогичны копусу SO8, но значительно тоньше, чем SO8 и DPAK
- Безпроволочная распайка кристалла
- Высокая стойкость к выбросам тока
- 100% тестирование на лавинный пробой, выдерживают лавинный пробой при максимальной температуре перехода
- Соответствуют автомобильному стандарту AEC-Q101 при температуре 175°C
- Возможность оптического контроля распайки выводов
| Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Каталог мощных MOSFET-транзисторов компании NXP за 2009 год (англ.)