Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Fairchild Semiconductor: FDMS7650 — новый MOSFET-транзистор стал первым устройством, преодолевшем барьер RDS(ON) в 1 мОм
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Fairchild Semiconductor: FDMS7650 — новый MOSFET-транзистор стал первым устройством, преодолевшем барьер RDS(ON) в 1 мОм

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 3 минут
Поделиться

Компания Fairchild предлагает новое семейство 30-вольтовых MOSFET-транзисторов с наименьшим сопротивлением RDS(ON) для улучшения КПД каскадов преобразования постоянного напряжения. FDMS7650 в корпусе Power56 стал первым транзистором, который преодолел барьер в 1 мОм. Его максимальное значение RDS(ON) составляет всего лишь 0.99 мОм, что способствует снижению потерь коммутации и улучшению общей эффективности.

FDMS7650, благодаря выполнению по улучшенной технологии PowerTrench®, способен добиться рекордно-низких значений RDS(ON). Данная технология, помимо малых значений RDS(ON), также обеспечивает пониженные значения общего заряда затвора (QG) и заряда емкости Миллера (QGD). Совместно данные улучшения позволят улучшить КПД силового каскада за счет минимизации потерь проводимости и коммутации.

FDMS7650 функционирует как коммутатор нагрузки или как суммирующий по ИЛИ полевой транзистор. Суммирующие по ИЛИ транзисторы используются в системе электропитания серверного оборудования, где несколько источников питания необходимо параллельно подключить к общей нагрузке с равномерным распределением тока. В таком применении, где полевой транзистор непрерывно открыт, очень важно, чтобы он, в целях повышения КПД, рассеивал как можно меньшую мощность. Этот 30-вольтовый MOSFET-транзистор позволяет добиться того же значения общего сопротивления RDS(ON) при использовании вдвое меньшего количества полевых транзисторов. Например, при использовании MOSFET-транзисторов сопротивлением 2.0 мОм, потребуется в два раза большее число транзисторов.

В новое семейство FDMS76xx входят 30-вольтовые MOSFET-транзисторы с максимальными значениями RDS(ON) от 0.99 до 7.5 мОм и типичными значениями QG от 7 до 63 нКл. Вся продукция доступна в стандартных промышленных корпусах Power56 и Power33. Транзисторы в корпусе Power33 (FDMC76xx) доступны с сопротивлением канала от 4.2 до 8.5 мОм и с типичными значениями QG от 10 до 25 нКл.

Отличительные особенности

  • Макс. RDS(ON) = 0.99 мОм, при VGS = 10 В, ID = 36 А
  • Макс. RDS(ON) = 1.55 мОм, при VGS = 4.5 В, ID = 32 А
  • Современный корпус и оптимизированная схема обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую эффективность
  • Высоконадежный корпус класса MSL1
  • Отвечает требованиям RoHS

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на FDMS7650 (англ.)

Брошюра: Справочник силовых решений (англ.)

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Vishay: Новые 500-вольтовые MOSFET-транзисторы дополнили семейство планарных n-канальных полевых транзисторов поколения 6.2+
Следующая статья NXP: BUK9/7Y — автомобильные транзисторы в корпусе LFPAK (SOT669)
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

NXP: i.MX6 UL — малопотребляющие, защищенные прикладные процессоры на базе ядра ARM® Cortex®-A7 с рабочей частотой до 528 МГц

Время чтения: 4 минут

STMicroelectronics: STM32F334 — 32-битные микроконтроллеры на базе ядра ARM Cortex-M4 с рабочей частотой до 72 МГц и внутренней FLASH памятью объемом 64 Кбайт

Время чтения: 6 минут

Aptina: AR1411 — 1-дюймовая CMOS-матрица изображения разрешением 14 мегапикселей

Время чтения: 3 минут

NXP: LPC11A и LPC11E — новые микроконтроллеры на базе ядра ARM Cortex-M0

Время чтения: 3 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?