Девять новых MOSFET-транзисторов Trench 6: первые в мире транзисторы в корпусе типоразмера Power-SO8 с сопротивлением менее 1 мОм при 25 В
Компания NXP первой представила ассортимент MOSFET-транзисторов Trench 6 в так называемом «корпусе без потерь» LFPAK. Благодаря объединению кристалла Trench 6 и высококачественного корпуса LFPAK, новые транзисторы несут в себе множество преимуществ, касающихся рабочих характеристик и надежности.
Полупроводниковая технология Trench 6 позволила компании NXP добиться рекордно-низких значений RDS(ON): типовое значение 0.9 мОм при напряжении VGS = 10 В (PSMN1R2-25YL). Эти новые транзисторы идеальны для использования в широком числе требовательных применений, в т.ч. схемы объединения по ИЛИ силовых цепей, управления двигателями и высокоэффективные понижающие стабилизаторы с синхронным выпрямлением.
Помимо пониженных значений RDS(ON) относительно предшествующих полупроводниковых технологий, технология Trench 6 также обеспечивает понижение заряда затвора (QG) и низкое значение сопротивления цепи затвора (RG), что делает транзисторы идеальными для построения высокоэффективных силовых коммутаторов, работающих на частотах до 1 МГц.
Разработанный компанией NXP корпус для поверхностного монтажа LFPAK обеспечивает высокую плотность мощности. Он обладает отличными электрическими и тепловыми сопротивлениями, а также малой индуктивностью корпуса и совместим с посадочным местом стандартного корпуса SO8.
Корпус LFPAK совместим с процедурами автоматизированного оптического контроля и ручного контроля, что выделяет его на фоне многих других альтернативных корпусов типоразмера Power-SO8, которые в обязательном порядке требуют использования рентген контроля.
Объединенные в одно решение, кристалл Trench 6 и корпус LFPAK дают возможность повысить эффективность в рабочем режиме, улучшить токовые характеристики, повысить плотность мощности и улучшить тепловые режимы на печатной плате, что важно для высококачественных силовых каскадов современной электроники.
Отличительные особенности
- Первый в мире MOSFET-транзистор на 25 В с сопротивлением <1 мОм(1) в формфакторе Power-SO8
- MOSFET-транзистор на 30 В(2) с самым низким сопротивлением открытого канала
- Единственные транзисторы в формфакторе Power-SO8 с рабочей температурой до +175°C
- Единственный корпус типоразмера Power-SO8, сертифицированный по AEC-Q101
- Корпус LFPAK с рабочим током ID до 100 А (макс)
- Допускается визуальный контроль монтажа (в отличие от большинства устройств в корпусе Power-SO8, требующих рентген контроль
- Протестированы на лавинный пробой
- Отвечают требованиям RoHS и не содержат галогенов
- Также доступны в корпусах SOT669 и SOT1023
(1) PSMN1R2-25YL: RDS(ON)(тип.) = 0.9 мОм и RDS(ON)(макс.) = 1.2 мОм при VGS = 10 В
(2) PSMN1R3-30YL: RDS(ON)(тип.) = 1.06 мОм и RDS(ON)(макс.) = 1.3 мОм при VGS = 10 В
| Корпус | Наименование | VDS В |
RDS(ON)(тип.) VGS=10В мОм |
RDS(ON)(макс.) VGS=10В мОм |
|---|---|---|---|---|
| LFPAK | PSMN1R2-25YL | 25 | 0.9 | 1.2 |
| PSMN1R5-25YL | 1.13 | 1.5 | ||
| PSMN1R3-30YL | 30 | 1.06 | 1.3 | |
| PSMN1R7-30YL | 1.29 | 1.7 | ||
| PSMN2R0-30YL | 1.55 | 2 | ||
| PSMN2R5-30YL | 1.79 | 2.4 | ||
| PSMN3R0-30YL | 2.19 | 3 | ||
| PSMN3R5-30YL | 2.43 | 3.5 | ||
| PSMN4R0-30YL | 2.72 | 4 | ||
| PSMN5R0-30YL | 3.63 | 5 | ||
| PSMN6R0-30YL | 4.26 | 6 | ||
| PSMN7R0-30YL | 4.92 | 7 | ||
| PSMN9R0-30YL | 6.16 | 8 | ||
| PSMN2R6-40YS | 40 | 2.17 | 2.75 | |
| PSMN4R0-40YS | 3.28 | 4.18 | ||
| PSMN8R3-40YS | 6.79 | 8.58 | ||
| PSMN8R2-80YS | 80 | 6.61 | 8.47 | |
| PSMN013-80YS | 10 | 12.84 | ||
| PSMN026-80YS | 21.5 | 27.54 | ||
| Новые устройства выделены красным L — логический уровень / S — стандартный уровень |
||||
| Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Веб-страница NXP по стандартным MOSFET-транзисторам
Каталог продукции: Мощные MOSFET-транзисторы компании NXP (англ.)