Новые 500-вольтовые силовые MOSFET-транзисторы компании Vishay-Siliconix характеризуются сопротивлением открытого канала 0.270 Ом и доступностью в корпусах TO-220, TO-220F и TO-247. Они могут служить более энергоэффективной заменой аналогичным транзисторам в разнообразных электронных системах.
Три новых транзистора компании Vishay в корпусах TO-220 (SiHP18N50C), TO-220F FULLPAK (SiHF18N50C) и TO-247 (SiHG20N50C) выполнены по n-канальной планарной полевой технологии поколения 6.2. Они отличаются малым сопротивлением открытого канала, что позволяет снизить потери проводимости и улучшить энергоэффективность во многих электронных системах. По сравнению с силовыми 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами предыдущего поколения, новые транзисторы характеризуются улучшенными характеристиками крутизны и обратного восстановления.
| Наименование | Корпус | VDSS (В) |
VGS (±В) |
ID (А) |
RDS(ON) (Ω) |
QG (нКл) |
RthJA (°C/Вт) |
| SiHP18N50C | TO-220 | 500 | 30 | 18 | 0.27 | 65 | 62 |
| SiHF18N50C | TO-220FP | 500 | 30 | 18 | 0.27 | 65 | 65 |
| SiHG20N50C | TO-247 | 500 | 30 | 20 | 0.27 | 65 | 40 |
Отличительные особенности
- Сочетание рабочего напряжения 500 Вольт с малым сопротивлением открытого канала 0.27 Ом при напряжении управления затвором 10 Вольт
- Снижают потери проводимости и повышают энергоэффективность
- Малый заряд затвора 65 нКл
- Высокая надежность работы
- 100% тестирование на лавинный пробой
- Высокая разрешенная лавинная энергия одиночного импульса (EAS) или периодической нагрузки (EAR)
- Пиковый ток 72 А / продолжительный ток 18А
| Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на SiHP18N50C, SiHF18N50C (англ.)
Документация на SiHG20N50C (англ.)
Брошюра: Мощные MOSFET-транзисторы на 500 Вольт компании Vishay (англ.)