Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: ON Semiconductor: NCS21x — cемейство операционных усилителей с нулевым дрейфом напряжения смещения
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

ON Semiconductor: NCS21x — cемейство операционных усилителей с нулевым дрейфом напряжения смещения

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 2 минут
Поделиться

Семейство представлено шестью моделями, отличающимися предустановленным значением коэффициента усиления: 50 В/В, 75 В/В, 100 В/В, 200 В/В, 500 В/В и 1000 В/В. Архитектура с нулевым дрейфом напряжения смещения позволяет создавать резистивные датчики тока с максимальным падением напряжения на шунтирующем элементе не более 10 мВ.

Напряжение питания усилителя составляет от 2.7 В до 26 В, а максимальный ток потребления – 100 мкА. Все версии прибора рассчитаны на работу в расширенном диапазоне температур – от -40°C до +125°C. Устройства доступны в 6-выводных корпусах SC70-6 и 10-выводных UQFN.

Типовая схема включения NCS21x

Отличительные особенности:

  • Фиксированное значение коэффициента усиления:
    • NCS213: 50 В/В
    • NCS215: 75 В/В
    • NCS214: 100 В/В
    • NCS210: 200 В/В
    • NCS211: 500 В/В
    • NCS212: 1000 В/В
  • Широкий диапазон входных синфазных напряжений: от -0.3 В до 26 В
  • Диапазон напряжения питания: от 2.7 В до 26 В
  • Низкое максимальное напряжения смещения: ±60 мкВ
  • Малый дрейф напряжения смещения: 0.1 мкВ/°C
  • Погрешность коэффициента усиления: 1% (макс.)
  • Rail-to-Rail вход и выход
  • Ток потребелния: 60 мкА (тип.), 100 мкА (макс.)
  • Диапазон рабочих температур: от -40°C до +125°C
  • Доступные корпуса:
    • 6-выводной SC70−6/SOT−363
    • 10-выводной UQFN, размером 1.4 мм х 1.8 мм

Преимущества:

  • Возможность использования в датчиках тока на первичной стороне высоковольтных устройств
  • Гибкость применения за счёт широкого диапазона напряжения питания
  • Низкоомные резисторы для реализации датчиков тока улучшают КПД системы
  • Применение в приложениях, чувствительных к изменениям температуры

Область применения:

  • Датчики тока (первичной/вторичной стороны источника питания)
  • Измерение потребляемой мощности
  • Сетевые адаптеры
  • Автомобильные системы
  • Управляющие схемы обратной связи
  • Устройства быстрого заряда аккумуляторов для смартфонов
  • Модули преобразования постоянного напряжения для телекоммуникационных систем
  • Электронные сигареты
  • Беспроводные зарядные устройства Qi
  • Высококачественные вычислительные системы и серверы

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на NCS21x (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья NXP: PN746x/PN736x — первые в отрасли контроллеры беспроводной связи ближнего радиуса действия по технологии Near Field Communication в виде полностью завершенного решения
Следующая статья SIMCOM Wireless Solutions: SIM68M — автономный модуль глобальной системы спутниковой навигации ГЛОНАСС/GPS
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Toshiba Electronics: DDTMOS IV MOSFET — новое поколение полевых транзисторов для силовой электроники на основе технологий Суперперехода (SJ) и Глубокой траншеи (DT)

Время чтения: 3 минут

ON Semiconductror: NCV97310 — многоканальное устройство управления питанием (PMU) с тремя понижающими преобразователями

Время чтения: 3 минут

Atmel Corporation: ATECC508 — интегральная схема аппаратного шифрования и аутентификации семейства CryptoAuthentication™

Время чтения: 3 минут

Atmel Corporation: AT21CS01 — последовательная EEPROM-память объемом 1 Кбит с однопроводным интерфейсом

Время чтения: 4 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?