Новый корпус, предназначенный для поверхностного монтажа выполнен в безвыводном исполнении, имеет высоту 1 мм и посадочное место 8 х 8 мм, содержит в себе кристалл стандартных промышленных размеров TO-220 и имеет открытую металлизированную площадку для эффективного отвода внутреннего тепла, генерируемого при работе. Небольшие размеры позволят разработчикам добиваться утончения проектируемых узлов питания, создавая более компактные и стильные электронные изделия, которые будут пользоваться спросом на современном рынке.
Этот новый стандарт доступен в составе продукции двух компаний. STMicroelectronics и Infineon Technologies представят MOSFET-транзисторы, выполненные в данных инновационных корпусах. В перечне компании STMicroelectronics эти корпуса идут под названием PowerFLATTM 8×8 HV, в линейке компании Infineon — ThinPAK 8×8, тем самым предоставляется возможность альтернативного выбора производителя с гарантией качества продукции. Новые корпуса имеют высокую температурную эффективность в сочетании с непревзойденно малым сопротивлением открытого канала сток-исток RDS(ON) на площадь кристалла, что было достигнуто благодаря применению технологии MDmesh V от компании ST. Все это позволяет максимизировать отвод тепловой энергии и надежность при одновременной экономии места на печатной плате. Компания STMicroelectronics добавляет в свой набор MDmesh V MOSFET-транзисторы в корпусах PowerFLAT 8×8 HV, и в настоящее время анонсирует первый продукт линейки – STL21N65M5, MOSFET-транзистор с напряжением пробоя сток-исток 650 В.
| Характеристики выключения в режиме 2 кВт Boost PFC транзистора STP42N65M5 выполненного по технологии MDmesh V |
Отличительные особенности
- Сопротивление открытого канала RDS(ON) = 0.19 Ом
- Максимальный рабочий ток ID = 17А
- Температурное сопротивление переход-корпус RTHJ-C = 1.0°C/Вт
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на серию STL21N65M5 (англ.)
Брошюра: Силовые MOSFET по технологии MDmesh V (англ.)