Компания ON Semiconductor продолжает совершенствовать техпроцесс изготовления полупроводниковых кристаллов из тонких пластин и технологию имплантации, позволяющие значительно улучшить характеристики IGBT-транзисторов, которые удовлетворяют растущим требованиям энергоэффективности.
Новейшее семейство IGBT-транзисторов Field Stop III предназначено для применения в приложениях с высоким КПД и диапазоном рабочих частот от единиц килогерц до 50 кГц. Транзисторы семейства Field Stop III (FSIII) отличаются повышенной проводимостью и высокими характеристиками коммутации, наряду с превосходными параметрами встречно-параллельного шунтирующего диода, что в совокупности приводит к снижению на 30% потерь на переключение по сравнению с транзисторами предыдущего поколения Field Stop.
Данные транзисторы могут эффективно работать в высокопроизводительных быстродействующих импульсных схемах, таких как источники бесперебойного питания, инверторы возобновляемых источников энергии, системы управления электродвигателями и зарядные устройства.
Первые представители семейства Field Stop III — N120FL3WG и NGTBxxN120L3WG — обеспечивают оптимизированные характеристики переключения и пониженные потери на проводимость и предназначены для промышленных приложений. Высокая надежность конструкции и превосходные параметры открытого состояния транзисторов при больших токах коллектора позволяют достичь высокого КПД схемы и снизить потери.
Компания ON Semiconductor обладает значительным, более 10 лет, опытом производства качественных и надежных IGBT-транзисторов для автомобилестроения в соответствии со стандартом AEC-Q. Так, в 2011 году фирма начала разрабатывать высоковольтные и сильноточные компоненты в соответствии с возрастающими требованиями промышленного и потребительского рынков, которым необходимы высокоэффективные решения. Первая линейка транзисторов на основе технологии Trench Field Stop была выпущена в 2012 году в ответ на конкурирующие технологии. Выход семейства устройств второго поколения FSII позволило компании занять лидирующие позиции на рынке.
| IGBT-транзистор NGTB40N120FL3W семейства Field Stop III |
| Наименование | VCES (В) |
IC@100°C (А) |
VCEsat (В) |
Ets (мДж) |
trr (нс) |
|---|---|---|---|---|---|
| NGTB25N120FL3WG | 1200 | 25 | 1.7 | 1.7 | 90 |
| NGTB40N120FL3WG | 1200 | 40 | 1.7 | 2.7 | 86 |
| NGTB40N120L3WG | 1200 | 40 | 1.55 | 3 | 86 |
Отличительные особенности:
- Сверхэффективный канал проводимости с технологией Field Stop
- Максимальная температура перехода: TJ(макс.) = 175°C
- Быстродействующий диод с плавной характеристикой обратного восстановления
- Структура транзистора оптимизирована для достижения низкого значения напряжения насыщения VCEsat и высокой скорости переключения
- Корпус транзистора TO−247 не содержит свинца
Область применения:
- Бесперебойные источники питания (UPS)
- Зарядные устройства
- Инверторы для возобновляемых источников энергии
- Схемы управления двигателем
- Сварочное оборудование
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на NGTB25N120FL3W (англ.)
Документация на NGTB40N120FL3W (англ.)
Документация на NGTB40N120L3W (англ.)