Полевые транзисторы с новой структурой затвора выполнены по технологии STripFET™ 7-го поколения компании STMicroelectronics.
Новые силовые MOSFET-транзисторы семейства STripFET™ VII DeepGATE™ от STMicro отличаются наименьшими потерями проводимости среди всех доступных сегодня 80- и 100-вольтовых устройств и увеличенной эффективностью переключения. Помимо этого, транзисторы позволяют упростить схему, снизить размеры и стоимость конечного решения, благодаря возможности обеспечить необходимую мощность и эффективность системы за счет применения всего нескольких компонентов в небольших корпусах.
Технология STripFET™ VII DeepGATE™, дополнившая собой обширный ряд компетенций компании STMicroelectronics в области проектирования полевых транзисторов, обеспечивает лучшие в отрасли характеристики эффективности, плотности мощности и надежности исполнения устройств на классы напряжений, требуемых в широком спектре промышленных приложений. Транзисторы STripFET™ VII DeepGATE™ идеально подходят для применения в системах с рабочим напряжением 48 В постоянного тока, широко применяемых в телекоммуникационном оборудовании. Устройства с рабочим напряжением 80 В или 100 В имеют достаточный запас надежности в условиях типовых скачков напряжения в 48-вольтовых цепях. Также, транзисторы STripFET VII DeepGATE с успехом могут применять в критически важных с точки зрения безопасности 12- и 24-вольтовых автомобильных приложениях.
Основным преимуществом технологии STripFET VII DeepGATE компании STMicro является усовершенствованная структура затвора полевого транзистора, благодаря которой достигается более низкое сопротивление открытого канала, снижается внутренняя емкость и заряд затвора, что приводит к увеличению скорости и эффективности переключения. Транзисторы STripFET VII отличает высокая стойкость к лавинному пробою, что позволяет избежать потенциально разрушительных воздействий неблагоприятных режимов и обеспечить необходимый уровень защиты критически важных узлов системы.
Более 20-ти представителей семейства STripFET VII DeepGATE уже находятся в серийном производстве и поставляются в корпусах TO-220, DPAK, PowerFLAT™ (5 x 6 мм), 2-выводной или 6-выводной H2PAK.
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Веб-страница STMicroelectronics по 80- и 100-вольтовым MOSFET транзисторам STripFET VII DeepGATE