Компания STMicroelectronics представила семейство особо быстродействующих 600-вольтовых HF IGBT-транзисторов, выполненных по новой перспективной планарной технологии PT. Инновационный процесс двойного дрейфа (Double-Drift), основанный на новом профиле легирования, существенно снижает действующее сопротивление в области дрейфа и улучшает динамические характеристики. Примененная компоновка «Advanced Planar Strip Layout» позволила добиться улучшения стабильности и управляемости рабочих характеристик, особенно в области высоких температур.
| Наименование | BVCES (В) |
IC @ 100°C (А) |
VCE(SAT) (VGE=15В, TJ=125°C) |
EOFF @ TJ=125°C (мкДж) |
Rθ (°C/Вт) |
Корпус | |
| тип. (В) |
@ IC (А) |
||||||
| STGW35HF60WD | 600 | 35 | 1.65 | 20 | 350 | 0.63 | TO-247 |
| STGW45HF60WD | 600 | 45 | 1.7 | 30 | 550 | 0.5 | TO-247 |
| Сверхбыстрый встречновключенный диод для топологий с агрессивным процессом коммутации (сварочные аппараты, UPS, солнечные батареи, импульсные блоки питания) | |||||||
| STGW35HF60WDI | 600 | 35 | 1.65 | 20 | 350 | 0.63 | TO-247 |
| STGWA35HF60WDI | 600 | 40 | 1.65 | 20 | 350 | 0.48 | TO-247 LL |
| STGW45HF60WDI | 600 | 45 | 1.7 | 30 | 550 | 0.5 | TO-247 |
| STGWA45HF60WDI | 600 | 50 | 1.7 | 30 | 550 | 0.437 | TO-247 LL |
| Встречновключенный диод с малым падением и плавным восстановлением для резонансных, Q-R или с плавной коммутацией топологий (индукционные печи, сварочные аппараты) | |||||||
Семейство ‘HF’ основано на новой перспективной планарной технологии, которая обеспечивает меньшую зависимость коммутационных характеристик (EOFF) IGBT-транзисторов от температуры, а также снижение потерь проводимости. Серию ‘W’ составляет подгруппа транзисторов, предназначенных для работы с высокой рабочей частотой коммутации (свыше 100 кГц).
Отличительные особенности
- Рабочая частота выше 100 кГц
- Улучшенная характеристика EOFF при повышенной температуре
- Минимальный хвостовой ток
- Малые потери коммутации и проводимости
- Встречновключенный диод, в зависимости от топологии:
- сверхскоростной (маркируется D) с агрессивным процессом коммутации (сварочные аппараты, UPS, солнечные батареи, импульсные блоки питания)
- с малым падением и плавным восстановлением (маркируется DI) для резонансных, квыазирезонансных или с плавной коммутацией топологий (индукционные печи, сварочные аппараты)
- Меньшее температурное сопротивление (у корпуса TO-247 LL по сравнению с TO-247)
| Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на STGW35HF60WD (англ.)
Документация на STGW35HF60WDI (англ.)
Документация на STGW45HF60WD (англ.)
Документация на STGW45HF60WDI (англ.)
Каталог IGBT транзисторов компании STMicroelectronics (англ.)