STMicroelectronics: MDmesh V – технология повышения энергоэффективности

Инновационная 650-вольтовая технология

MDmesh V – инновационная 650-вольтовая технология, позволяющая снизить потери мощности в энергоэффективных источниках питания. С её помощью становится возможным создание решений с более низким потреблением энергии и с наименьшим сопротивлением открытого канала по сравнению с использованием любых других сопоставимых по мощности MOSFET-транзисторов (для данного класса напряжения). Эта технология является самой эффективной среди доступных на рынке и позволяет сэкономить энергию, которая обычно теряется в силовых каскадах электропитания ПК, телевизионной техники, бытовой техники и другой подобной продукции. К числу прочих областей применения относятся возобновляемые источники энергии, где ощущается проблема избыточных потерь мощности в силовых модулях. Типичный пример таких применений — силовые инверторы для солнечных батарей.

Технология MDmesh V отличается 40-процентным снижением величины сопротивления открытого канала R_DS(ON) по сравнению с предыдущей технологией MDmesh II и установила новую рекордную планку для силовых коммутаторов. Созданные на основе этой технологии транзисторы в корпусах TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, DPAK, IPAK и TO-247 обладают рекордно-низким значением R_DS(ON) (при этом, напряжение пробоя составляет 650 Вольт при температуре 25°C). Помимо низких потерь проводимости, которые вытекают из снижения значения R_DS(ON), технология MDmesh V также обеспечивает улучшение динамических характеристик и, как следствие, снижение потерь коммутации и повышение плотности мощности.

STP42N65M5 характеризуется сопротивлением открытого канала 0.079 Ом (лучшее максимальное значение R_DS(ON) среди прочих доступных на рынке транзисторов в корпусах TO-220 на напряжение 600…650 Вольт при температуре 25°C) и максимальным током 33 Ампер. В свою очередь, STx16N65M5 характеризуется сопротивлением открытого канала 0.0299 Ом и максимальным током 12 Ампер. Оба транзистора находятся на фазе серийного производства. Остальные транзисторы, выполненные по технологии MDmesh V, станут доступными в апреле и июне 2009 года.

Подсемейства продукции:

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Брошюра по мощным MOSFET семейства MDmesh V (англ.)

Документация на STx16N65M5 (англ.)

Документация на STx42N65M5 (англ.)