Силовой полумостовой блок MOSFET-транзисторов, выполненных по технологии NexFETTM для построения синхронных понижающих преобразователей
Максимум эффективности, максимум частоты и плотности мощности в габаритах, вдвое меньших дискретного MOSFET-транзистора.
Выполненный по технологии NexFETTM, силовой блок CSD86350Q5D оптимизирован для применения в составе синхронных понижающих преобразователей с высокими выходными токами, работающих на больших частотах с максимальным КПД. Блок выполнен в малогабаритном корпусе с размерами 5 мм х 6 мм. Будучи предназначенным для приложений с управляющим напряжением затвора 5 В, данный продукт является гибким решением, способным обеспечить высокую плотность мощности при 5-вольтовом парном управлении затворами от внешнего контроллера/драйвера.
| Типовая схема включения CSD86350Q5D |
Отличительные особенности
- Полумостовой силовой блок
- Системная эффективность: 90% при токе 25 А
- Максимальный рабочий ток: 40 А
- Работа на высокой частоте до 1.5 МГц
- Компактный корпус SON размером 5 х 6 мм
- Оптимизирован для работы с 5-вольтовым драйвером затвора
- Малые потери коммутации
- Корпус со сверхнизкой индуктивностью
- Не содержит галогенов
- Бессвинцовое покрытие выводов
| Диаграмма эффективности и потерь мощности силового блока |
Область применения
- Синхронные понижающие конвертеры
- Высокочастотные приложения
- Сильноточные приложения с малым коэффициентом заполнения
- Многофазные синхронные понижающие конвертеры
- DC/DC-конвертеры типа Point-Of-Load
- Модули питания процессорных платформ IMPV
| Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на CSD86350Q5D (англ.)
Справочное руководство по силовым MOSFET-транзисторам NexFET (англ.)