Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Toshiba Electronics: TKxxZ60X — 600-вольтные кремниевые N-канальные MOSFET транзисторы семейства DTMOS IV-H
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Toshiba Electronics: TKxxZ60X — 600-вольтные кремниевые N-канальные MOSFET транзисторы семейства DTMOS IV-H

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 3 минут
Поделиться

Компания Toshiba разработала новые 4-выводные силовые MOSFET-транзисторы серии DTMOS IV-H, выполненные в корпусе TO-247 по технологии суперперехода, с рабочим напряжением 600 В.

Такие транзисторы подходят для источников питания с коррекцией коэффициента мощности, построенных по схеме интеллектуальных силовых каскадов и резонансных преобразователей (LLC). Особенностью приборов является низкая величина заряда затвор-сток, оптимизирующая характеристику переключения транзистора. В традиционных 3-выводных корпусах TO-247 паразитная индуктивность вывода истока ведет к увеличению потерь с ростом частоты переключения. Дополнительный вывод истока, называемый истоком Кельвина, позволяет увеличить скорость нарастания тока стока и снизить потери на переключение. При этом уменьшение энергии включенного состояния транзисторя E(ON) достигает величины 15% по сравнению с 3-выводными корпусами.

Транзисторы серии DTMOS IV-H изготавливаются по технологии Deep Trench, обеспечивающей меньшее значение сопротивления открытого канала (RDS(ON)) при высоких рабочих температурах по сравнению с традиционными транзисторами на основе технологии суперперехода. Также технология Deep Trench снижает потери на выключение (EOSS) по отношению к предыдущим поколениям технологий. Перечисленные характеристики позволяют разработчикам достичь более высоких значений КПД источников питания при одновременном уменьшении их размеров.

В настоящее время серия DTMOS IV-H представлена четырьмя транзисторами: TK25Z60X, TK31Z60X, TK39Z60X и TK62Z60X. Все приборы рассчитаны на рабочее напряжение сток-исток 600 В, а их сопротивление RDS(ON) варьируется в пределах от 40 мОм до 125 мОм.

Силовые MOSFET-транзисторы TKxxZ60X

Отличительные особенности:

  • Очень высокая скорость переключения
  • Наличие дополнительного вывода истока – истока Кельвина
  • Низкие потери на переключение
  • Очень малое значение сопротивления открытого канала RDS(ON)
  • Низкий температурный коэффициент сопротивления RDS(ON)
  • Напряжение сток-исток VDS: 600 В (макс.)
  • Ток стока ID:
    • TK25Z60X: 25 А
    • TK31Z60X: 30.8 А
    • TK39Z60X: 38.8 А
    • TK62Z60X: 61.8 А
  • Сопротивление открытого канала RDS(ON):
    • TK25Z60X: 0.105 Ом (тип.)
    • TK31Z60X: 0.073 Ом (тип.)
    • TK39Z60X: 0.055 Ом (тип.)
    • TK62Z60X: 0.033 Ом (тип.)
  • Максимальная температура канала Tch: +150°C
  • 4-выводной корпус TO-247

Область применения:

  • Источники питания с коррекцией коэффициента мощности и резонансные преобразователи (LLC)

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на TK25Z60X (англ.)

Документация на TK31Z60X (англ.)

Документация на TK39Z60X (англ.)

Документация на TK62Z60X (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Texas Instruments: LMX2592 — высокопроизводительный, широкополосный радиочастотный синтезатор семейства PLLatinum™ с интегрированным управляемым напряжением тактовым генератором
Следующая статья Texas Instruments: ADS794x — новая серия малопотребляющих АЦП с частотой дискретизации до 2 MSPS
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

NXP: BLA6H1011-600 — мощный LDMOS транзистор для авиационной электроники

Время чтения: 3 минут

Maxim Integrated: MAX14912 и MAX14913 — 8-канальные быстродействующие ключи верхнего плеча / двухтактные драйверы

Время чтения: 5 минут

Numonyx: Новое семейство микросхем памяти Forté™ N25Q

Время чтения: 2 минут

IDT: IDTF1241 — малошумящий сдвоенный усилитель промежуточной частоты с переменным коэффициентом усиления, выполненный по технологии FlatNoise™

Время чтения: 3 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?