Toshiba Electronics: TLP5214 — новый интеллектуальный оптрон для управления затвором IGBT/MOSFET-транзисторов

Компания Toshiba выпустила интеллектуальный оптрон для управления затвором транзисторов с выходным током 4 А и встроенными функциями защиты.

Toshiba Electronics Europe (TEE) объявила о выпуска интеллектуального оптрона для управления затвором транзисторов с максимальным выходным током 4 А, заключённого в корпус SO-16L и предназначенного для использования совместно с IGBT-транзисторами средней мощности и мощными MOSFET-транзисторами. TLP5214 имеет множество интегрированных функций, таких как определение момента рассасывания основных носителей зарядов и мягкого выключения IGBT-транзистора, активное ограничение эффекта Миллера, определение пониженного напряжения питания и обнаружение ошибок, которые защищают транзистор от перегрузок по току.

За счёт наличия встроенных функций обнаружения и обработки ошибочного состояния системы TLP5214 позволяет снизить стоимость конечного решения. Корпус SO-16L обеспечивает минимальный изолирующий зазор 8 мм, благодаря чему оптрон гарантирует повышенный уровень изоляции в требовательных к безопасности приложениях. К дополнительным преимуществам TLP5214 можно отнести высоту корпуса, не превышающую 2.3 мм. Входной каскад оптрона интегрирует высоконадёжный инфракрасный светодиод, поэтому возможно применение прибора в областях, требующих повышенной термостабильности, например, в системах промышленной автоматики, домашних фотоэлектрических системах, бытовой цифровой технике и бесперебойных источниках питания. Максимальная задержка распространения сигнала, величиной 150 нс, и рассогласование задержки ±80 нс гарантируются во всем диапазоне рабочих температур от -40°C до +110°C, что позволяет сократить «мёртвое время» в схемах инверторов и увеличить их КПД.

К другим электрическим характеристикам оптрона относятся: выходное напряжение питания от 15 до 30 В, максимальный ток потребления 3.5 мА, максимальный входной пороговый ток переключения 6 мА и минимальное напряжение пробоя изоляции 5000 В (скз.).

Отличительные особенности:

• Оптроны высокой степени интеграции с выходным током до 4.0 А для управления затвором MOSFET и IGBT транзисторов
• Корпус SO-16L с увеличенным изолирующим зазором и длиной пути тока утечки
• Снабжён функциями определения момента рассасывания основных носителей зарядов и мягкого выключения IGBT-транзистора, изолированной обратной связью с обнаружением состояния ошибки, ограничения эффекта Миллера и выключения при пониженном напряжении питания (UVLO)
• Сильноточная, быстродействующая схема управления выходным каскадом с обратной связью для определения состояния ошибки
• Пиковый выходной ток: ±4.0 А
• Диапазон рабочих температур: от −40 до 110°C
• Максимальный ток потребления: 3.5 мА
• Диапазон напряжения питания выходного каскада: от 15 до 30 В
• Максимальный входной пороговый ток включения: I_FLH = 6 мА
• Максимальное время переключения (t_pLH / t_pHL): 150 нс
• Уровень устойчивости к синфазным помехам: не менее ±35 кВ/мкс
• Пробивное напряжение изоляции: не менее 5000 В (скз.)

Область применения:

• Изолированные драйверы затворов IGBT/MOSFET-транзисторов
• Системы управления двигателями переменного тока и бесколлекторными двигателями постоянного тока
• Промышленные инверторы
• Источники бесперебойного питания (UPS)

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Документация на TLP5214 (англ.)