Обладая наилучшим в отрасли показателем качества (произведение заряда затвора на остаточное сопротивление) — ключевым параметром для силовых MOSFET-транзисторов с напряжением сток-исток 600 В, N-канальный транзистор SiHP065N60E обеспечивает высокий КПД источников питания, применяемых в промышленном и телекоммуникационном оборудовании, системах освещения и вычислительной технике.
Новый транзистор выполнен по передовой, высокоэффективной технологии суперперехода. Компания Vishay следует своему принципу предлагать клиентам широкий ассортимент MOSFET-технологий и поставляет решения для всех стадий процесса преобразования энергии — от высоковольтного входа до низковольтного выхода, необходимых современным электронным системам.
SiHP065N60E, а также другие транзисторов четвертого поколения серии E с напряжением сток-исток 600 В, которые появятся в ближайшем будущем, демонстрирует приверженность компании удовлетворять спрос на эффективные компоненты с высокой плотностью мощности, используемые в первичных каскадах систем питания, таких как корректоры коэффициента мощности и следующие за ними высоковольтные преобразователи постоянного напряжения.
| N-канальный MOSFET-транзистор SiHP065N60E |
Отличительные особенности:
- Уменьшенные на 30% сопротивление открытого канала RDS(ON)) и на 44% заряд затвора Qg по сравнению с предыдущим поколением MOSFET-транзисторов серии E с напряжением сток-исток 600 В
- Показатель добротности FOM на 25% лучше по сравнению с ближайшими конкурирующими устройствами
- Сверхмалые сопротивление открытого канала и заряд затвора снижают потери на проводимость и переключение и повышают энергоэффективность системы
- Произведение остаточного сопротивления на заряд затвора (показатель качества): 2.8 Ом*нКл
- Низкие значения эффективных выходных емкостей — Co(er) и Co(tr) улучшают характеристики переключения
- Прибор выпускается в корпусе TO-220AB
- Конструкция устройства соответствует требованиям директивы RoHS и не содержит галогенов
- Транзистор выдерживает переходные перегрузки по напряжению в режиме лавинного пробоя с гарантированными пределами, установленными для полного прохождения теста UIS
Область применения:
- Корректоры коэффициента мощности и преобразователи постоянного напряжения с жестким режимом коммутации силовых ключей
- Источники питания серверов и телекоммуникационного оборудования
- Импульсные источники питания
- Источники питания ламп высокой интенсивности разряда (HID)
- Балласты флуоресцентных ламп
- Сварочные аппараты
- Схемы управления электродвигателями
- Зарядные устройства аккумуляторных батарей
- Солнечные инверторы
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на SiHP065N60E (англ.)