Высокоэффективные MOSFET-транзисторы SiHx25N50E с напряжением сток-исток 500 В, выполненные на основе устройств второго поколения по технологии Суперперехода, являются дополнением к существующему семейству D с тем же напряжением сток-исток, созданных на базе высокопроизводительной планарной технологии.
Новые транзисторы поддерживают рабочий ток стока до 25 А и отличаются низким сопротивление открытого канала, равным 145 мОм. Они выпускаются в стандартных корпусах TO-220 (SiHP25N50E), TO-247AC (SiHG25N50E) и компактном, низкопрофильном TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E).
Имея чрезвычайно малый заряд затвора QG и низкое сопротивления открытого канала RDS(ON), SiHx25N50E демонстрируют превосходный показатель добротности (FOM), определяемый как произведение QG на RDS(ON), что является ключевым параметром для MOSFET транзисторов, применяемых в преобразователях мощности. Как и в устройствах семейства E с напряжением сток-исток 600 В и 650 В, технология с низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения, реализованная в новых 500-вольтовых транзисторах, способна повысить КПД и плотность мощности в схемах коррекции коэффициента мощности (PFC), двухтактных прямо- и обратноходовых преобразователях напряжения.
Транзисторы изготовлены в соответствии с требованиями директивы RoHS и способны выдерживать импульсные токи высокой энергии в режиме лавинного пробоя и в режиме переключения в гарантированных пределах, определяемых по методике UIS.
| MOSFET-транзистор SiHA25N50 в корпусе TO-220 FULLPAK |
Отличительные особенности:
- Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
- Максимальный продолжительный ток стока: 26 А
- Высокая добротность (FOM): низкое значение произведения RDS(ON) x QG
- Низкое значение входной ёмкости (Ciss ): 1980 пФ (тип.)
- Низкое значение остаточного сопротивления открытого канала RDS(ON): 0.125 Ом (тип.)
- Сниженный уровень потерь на проводимость и переключение
- Очень низкое значение заряда затвора (Qg): 57 нКл (тип.)
- Оценка величины энергии лавинного пробоя по методике UIS
- Диапазон рабочих температур: от -55 °C до +150 °C
Область применения:
- Схемы коммутации больших токов
- Источники питания со схемой коррекции коэффициента мощности (PFC)
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Вычислительная техника
- Блоки питания ATX для ПК
- Освещение
- Двухкаскадные светодиодные светильники
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на SiHA25N50E (англ.)
Документация на SiHG25N50E (англ.)
Документация на SiHP25N50E (англ.)