Новые MOSFET-транзисторы компании Vishay Siliconix, выполненные по технологии ThunderFET® обладают наименьшим в отрасли сопротивлением открытого канала среди устройств с напряжением сток-исток до 200 В и минимальным напряжением затвора 4.5 В.
Кроме того, показатель качества (FOM) транзисторов SiR610DP при использовании в схемах DC/DC преобразователей является лучшим в своем классе устройств. Низкое сопротивление открытого канала RDS(ON) приводит к уменьшению потерь проводимости и потребляемой мощности, что позволяет использовать транзисторы в экологичных энергосберегающих приложениях.
SiR610DP оптимизированы для применения в качестве силовых ключей в первичной цепи и в качестве синхронных выпрямителей во вторичной цепи источников питания с гальванической развязкой для телекоммуникационного и сетевого оборудования.
 |
| Сравнительные характеристики SiR610DP и устройств предыдущего поколения |
Отличительные особенности:
- Максимальное рабочее напряжение сток-исток VDS: 200 В
- Максимальный постоянный ток стока ID: 35.4 А (TC = 70°C)
- Заряд затвора Qg: 20 нКл (тип.)
- Сопротивление открытого канала RDS(ON): 31.9 мОм (VGS = 10 В)
- Сопротивление открытого канала RDS(ON): 33.4 мОм (VGS = 7.5 В)
- Максимальная рабочая температура перехода TJ: +150°C
- 8-выводной корпус PowerPAK® SO-8, размером 6 мм х 5 мм
Область применения:
- DC/DC преобразователи
- Силовые ключи первичных и вторичных каскадов
- Схемы синхронных выпрямителей
- Схемы управления светодиодами
- Импульсные источники питания
- Схемы аудио-усилителей класса D
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на SiR610DP (англ.)