Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Analog Devices: HMC8401/HMC8402/HMC8410 — малошумящие усилители на диапазон частот от 0 до 30 ГГц
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Analog Devices: HMC8401/HMC8402/HMC8410 — малошумящие усилители на диапазон частот от 0 до 30 ГГц

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 4 минут
Поделиться

Компания Analog Devices представляет новую серию малошумящих усилителей, предназначенных для широкого круга приложений, таких как системы радиоэлектронной борьбы (РЭБ), инструментальные средства и телекоммуникационные системы с несколькими рабочими полосами частот.

HMC8401, HMC8402 и HMC8410 — это монолитные сверхвысокочастотные интегральные схемы (MMIC) малошумящих усилителей (LNA), выполненные на основе арсенида галлия (GaAs) с применением псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов (pHEMT). Рабочий диапазон частот устройств составляет от 0 до 28 ГГц (HMC8401), от 2 ГГц до 30 ГГц (HMC8402) и от 10 МГц до 10 ГГц (HMC8410).

HMC8401 обеспечивает коэффициент усиления 14.5 дБ при уровне собственных шумов 1.5 дБ, выходную интермодуляционную точку пересечения третьего порядка (OIP3) 26 дБм и выходную мощность 16.5 дБм в точке компрессии 1 дБ (P1dB) при токе потребления 60 мА от источника питания напряжением 7.5 В. HMC8402 обеспечивает коэффициент усиления 13.5 дБ при уровне собственных шумов 2.0 дБ, выходную интермодуляционную точку пересечения третьего порядка (OIP3) 26 дБм и выходную мощность 21.5 дБм в точке компрессии 1 дБ (P1dB) при токе потребления 68 мА от источника питания напряжением 7.0 В. HMC8410 обеспечивает коэффициент усиления 19.5 дБ при уровне собственных шумов 1.1 дБ, выходную интермодуляционную точку пересечения третьего порядка (OIP3) 33 дБм и выходную мощность 21.0 дБм в точке компрессии 1 дБ (P1dB) при токе потребления 65 мА от источника питания напряжением 5.0 В.

HMC8401 оснащен дополнительным выводом регулировки коэффициента усиления.

В режиме насыщения мощность выходного каскада HMC8410 достигает 22.5 дБм, что позволяет использовать устройство в качестве драйвера гетеродина для большинства I/Q-модуляторов и смесителей с подавлением зеркальной составляющей, выпускаемых компанией Analog Devices.

Входы и выходы усилителей внутренне согласованы на нагрузку 50 Ом, что упрощает их интеграцию в многокристалльные модули (МКМ).

Функциональная блок-схема HMC8401

Отличительные особенности:

  • Выходная мощность в точке компрессии 1 дБ (P1dB):
    • HMC8401: 16.5 дБ (тип.)
    • HMC8402: 21.5 дБ (тип.)
    • HMC8410: 21.0 дБ (тип.)
  • Выходная мощность в режиме насыщения (PSAT):
    • HMC8401: 19.0 дБм (тип.)
    • HMC8402: 22.0 дБм (тип.)
    • HMC8410: 22.5 дБм (тип.)
  • Коэффициент усиления:
    • HMC8401: 14.5 дБ (тип.)
    • HMC8402: 13.5 дБ (тип.)
    • HMC8410: 19.5 дБ (тип.)
  • Уровень шумов:
    • HMC8401: 1.5 дБ (тип.)
    • HMC8402: 2.0 дБ (тип.)
    • HMC8410: 1.1 дБ (тип.)
  • Выходная интермодуляционная точка пересечения третьего порядка (OIP3):
    • HMC8401: 26.0 дБм (тип.)
    • HMC8402: 26.0 дБм (тип.)
    • HMC8410: 33.0 дБм (тип.)
  • Напряжение питания, ток потребления:
    • HMC8401: 6.5…8.5 В, 60 мА (тип.)
    • HMC8402: 5.0…8.0 В, 68 мА (тип.)
    • HMC8410: 2.0…6.0 В, 65 мА (тип.)
  • Размеры кристалла:
    • HMC8401: 2.55 мм × 1.5 мм × 0.05 мм
    • HMC8402: 2.7 мм × 1.35 мм × 0.05 мм
    • HMC8410: 0.95 мм × 0.61 × 0.102 мм

Область применения:

  • Контрольно-измерительная аппаратура
  • Радиостанции СВЧ-диапазона и малые спутниковые терминалы (VSAT)
  • Системы радиоэлектронной борьбы (РЭБ)
  • Телекоммуникационная инфраструктура
  • Линии волоконно-оптической связи

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на HMC8401 (англ.)

Документация на HMC8402 (англ.)

Документация на HMC8410 (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Freescale Semiconductor: Kinetis KW40Z — микроконтроллеры беспроводной связи стандартов Bluetooth Low Energy и IEEE® 802.15.4
Следующая статья Infineon Technologies: IPx08E65D1/2 — силовые кремниевые диоды со сверхмалым временем обратного восстановления семейства Rapid1 и Rapid2
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Vishay: VEMD5010X01, VEMD5110X01 — фотодиоды с широким углом обзора, сертифицированные по стандарту AEC-Q101 для автомобильных приложений

Время чтения: 4 минут

STMicroelectronics: L6986 — понижающий DC/DC преобразователь с током нагрузки до 2 А и выходным напряжением, регулирцемым в диапазоне от 0.85 В до VIN

Время чтения: 3 минут

ON Semiconductor: NCN51xx — приёмопередатчики для сетей KNX на основе витой пары

Время чтения: 2 минут

IDT: SGAS701, SGAS707, SGAS711 — новое семейство высокочувствительных датчиков газа

Время чтения: 2 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?