Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Infineon Technologies: IPx08E65D1/2 — силовые кремниевые диоды со сверхмалым временем обратного восстановления семейства Rapid1 и Rapid2
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Infineon Technologies: IPx08E65D1/2 — силовые кремниевые диоды со сверхмалым временем обратного восстановления семейства Rapid1 и Rapid2

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 4 минут
Поделиться

Быстрые диоды идеально сочетаются с транзисторами семейств CoolMOS™ и TRENCHSTOP™ 5

Компания Infineon впервые выходит на рынок высоковольтных сверхбыстрых диодов, предлагая приборы семейств Rapid 1 и Rapid 2 с обратным напряжением 650 В. Новое семейство Rapid является дополнением к ранее выпущенным компанией мощным диодам на напряжение 600/650 В, заполняя пробел между кремний-углеродными диодами и диодами, контролируемыми по эмиттеру.

Сочетая низкую стоимость и высокую эффективность, новые диоды предназначены для работы в устройствах с рабочими частотами от 18 до 100 кГц. Особенно хорошо они согласуются с транзисторами структур CoolMOS™ и TRENCHSTOP™ 5 в схемах корректоров коэффициента мощности (PFC). Семейство диодов Rapid будет представлено в двух версиях (Rapid1 и Rapid2) моделями с максимальным обратным напряжением 650 В, тогда как существующие устройства поддерживают обратное напряжение не более 600 В.

Дополнительные 50 В послужат хорошей основой для увеличения надёжности компонентов, не снижая при этом их эффективности. Кроме того, новые диоды отличаются высокой стабильностью уроня падения прямого напряжения в диапазоне температур от -40° C до +175°С. Диоды версии Rapid1 обладают низким уровнем падения прямого напряжения и умеренным временем восстановления, из-за чего находят применение в схемах с рабочей частотой от 18 до 40 кГц, в которых потери проводимости и электромагнитный шум являются критическими параметрами. Диоды версии Rapid2 разработаны для устройств с повышенной рабочей частотой, от 40 до 100 кГц. На этих частотах основные потери в компонентах определяются в основном потерями на переключение, поэтому разработчики свели к минимуму такие параметры диодов, как заряд обратного восстановления QRR и время восстановления tRR. Также семейство Rapid2 характеризуется сверхмалым временем восстановления с величиной S-фактора много больше 1.

Постоянный ток IC
При TC = 100°C
(А)
2-выводной TO-220 2-выводной TO-220 FullPAK TO-247
Rapid1 8 IDP08E65D1    
15 IDP15E65D1    
30     IDW30E65D1
40     IDW40E65D1
Rapid2 8 IDP08E65D2 IDV08E65D2  
15 IDP15E65D2 IDV15E65D2 IDW15E65D2
30 IDP40E65D2   IDW40E65D2

Отличительные особенности:

  • Высокая температурная стабильность потерь на электропроводность (уровень падения напряжения)
  • Диоды серии Rapid1 обеспечивают на 250 мВ меньшее падение напряжение (VF), чем ближайший конкурент
  • Диоды серии Rapid2 имеют самый низкий заряд обратного восстановления (QRR): потери проводимости на 10% ниже обратного тока IRRM по сравнению с конкурирующими изделиями
  • Высокий уровень ослабления

Преимущества:

  • Серия Rapid2 предлагает самые эффективные в своём классе сверхбыстрые кремниевые диоды на частоте до 70 кГц
  • Наименьший обратный ток IRRM улучшает энергию переключения EON в схемах коррекции коэффициента мощности на 10%
  • Высокий уровень ослабления снижает уровень электромагнитного излучения (EMI)

Область применения:

  • В качестве вольтодобавочного диода во всех схемах коррекции коеффициента мощности, где необходима высокая эффективность, и в повышающих преобразователях инверторов солнечных батарей:
    • Бытовые и коммерческие кондиционеры
    • Серверы
    • Стабилизаторы напряжения телекоммуникационного оборудования
    • Источники питания для ТВ и ПК мощностью свыше 90 Вт
    • Обратноходовые диоды для солнечных батарей
    • Схемы с двухтранзисторной повышающей топологией (TTF)

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Краткое описание диодов семейства Rapid1 и Rapid2 компании Infineon (англ.)

Руководство по применению: Быстровосстанавливающиеся диоды на 650 В для промышленных приложений (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Analog Devices: HMC8401/HMC8402/HMC8410 — малошумящие усилители на диапазон частот от 0 до 30 ГГц
Следующая статья NXP: PSMN075-100MSE — N-канальный MOSFET транзистор средней мощности на 100 В, 18 А, с сопротивлением открытого канала 71 мОм, в корпусе LFPAK33
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

NXP: Усилители радиочастотного диапазона серии BGA28xx

Время чтения: 2 минут

Vishay: TCNT2000 — отражательный оптический датчик с дальностью обнаружения до 5 мм

Время чтения: 3 минут

ON Semiconductor: NB3x60113G и NB3x63143G — программируемые генераторы тактовых сигналов семейства OmniClock с диапазоном выходных частот от 8 кГц до 200 МГц

Время чтения: 3 минут

STMicroelectronics: STM32 ODE — открытая среда проектирования для быстрой и легкой разработки приложений на базе микроконтроллеров семейства STM32

Время чтения: 2 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?