Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Cypress Semiconductor: S26Kxxxx — cемейство микросхем NOR-флэш памяти HyperFlash™ объёмом от 128 Мбит до 512 Мбит, выполненных по 65-нм техпроцессу, с напряжением питания 3.0 В и 1.8 В и технологией MirrorBit®
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Cypress Semiconductor: S26Kxxxx — cемейство микросхем NOR-флэш памяти HyperFlash™ объёмом от 128 Мбит до 512 Мбит, выполненных по 65-нм техпроцессу, с напряжением питания 3.0 В и 1.8 В и технологией MirrorBit®

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 3 минут
Поделиться

Новое семейство микросхем NOR FLASH памяти от компании Cypress обладает увеличенной скоростью чтения-записи данных по сравнению с аналогичными устройствами с 4-канальным SPI-интерфейсом и содержит на треть меньше выводов по сравнению с NOR FLASH с параллельным интерфейсом.

Высокая плотность данных – от 128 Мбит до 512 Мбит – позволяет использовать память HyperFlash для высокопроизводительных встраиваемых систем, которые находят применение в автомобильных системах помощи водителю (ADAS), приборных панелях и информационно-развлекательных комплексах автомобилей, сетевых маршрутизаторах и коммутаторах, а также в ТВ-приставках высокой четкости. Память обладает высочайшей скоростью считывания данных – до 333 МБ/с, что в 5 раз быстрее, чем у аналогичных микросхем с интерфейсом SPI.

Микросхемы памяти семейства HyperFlash прошли успешные испытания на соответствие высоким стандартам качества, в том числе автомобильному стандарту AEC-Q100, и рассчитаны на эксплуатацию в диапазоне температур от -40°C до 125°C.

Внутренняя архитектура S26KL256S

Отличительные особенности:

  • Диапазон напряжения питания: от 1.70 В до 1.95 В (S26KSxxxS) и от 2.7 В до 3.6 В (S26KLxxxS)
  • Объем памяти: 128 Мбит (S26Kx128S), 256 Мбит (S26Kx256S) и 512 Мбит (S26Kx512S)
  • 8-битная шина данных
  • Минимальное количество циклов записи/стирания сектора: 100.000
  • Типовой срок хранения записанных данных при температуре +55ºC: 20 лет
  • Первоначальное время доступа: 96 нс
  • Тактовая частота при скорости считывания данных 333 Мбит/с и напряжении питания 1.8 В: 166 МГц
  • Тактовая частота при скорости считывания данных 200 Мбит/с и напряжении питания 3,0 В: 100 МГц
  • Типовое время записи 512 Байт данных: 475 мкс
  • Типовое время посекторного стирания блока размером 256 КБ: 930 мс
  • Промышленный диапазон рабочих температур: от -40ºC до +85ºC
  • Расширенный промышленный диапазон рабочих температур: от -40ºC до +105ºC
  • Расширенный диапазон рабочих температур (опционально для стандарта AEC-Q100): от -40ºC до +125ºC
  • 24-выводной корпус BGA размером 6 мм x 8 мм

Преимущества:

  • NOR FLASH память HyperFlash обеспечивает высочайшую производительность встраиваемых систем:
    • Немедленное включение устройства за счет быстрого считывания микроконтроллером кода из загрузочного сектора памяти NOR FLASH через интерфейс HyperBus с малым количеством линий
    • Поддержка больших ЖК-дисплеев высокого разрешения благодаря предварительно сохраненным в памяти NOR FLASH просчитанным изображениям, которые затем загружаются непосредственно в графический процессор
    • Плавное отображение сложных движений и графики за счет быстрого считывания нескольких изображений (например, стрелка тахометра на автомобильной панели приборов, выполненной на основе ЖК-экрана)

Область применения:

  • Автомобильные приборные панели
  • Автомобильные информационно-развлекательные системы
  • Коммуникационное оборудование
  • Высокопроизводительные потребительские товары
  • Устройства отображения и графические приложения
  • Различные приложения с высокой скоростью потока отображения графической информации

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на S26KL/S128S, S26KL/S256S, S26KL/S512S (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Broadcom: ACPL-335J — интеллектуальный оптрон для управления затворами силовых MOSFET-транзисторов в высокочастотных приложениях
Следующая статья EBV Elektronik: HyperMAX — интегрированная, высокопроизводительная и инновационная оценочная плата для разработки приложений на основе ПЛИС FPGA семейства MAX10
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

ON Semiconductor: NGTB15N120IHL — IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 15 А, выполненный по технологии FieldStop 1, для индукционных нагревателей

Время чтения: 2 минут

Atmel Corporation: AT30TSE002B — полностью интегрированное решение для прецизионного контроля температуры

Время чтения: 4 минут

Intersil: HI7190 — 24-битный высокоточный сигма-дельта АЦП

Время чтения: 2 минут

Analog Devices: ADA4177 — прецизионный малошумящий операционный усилитель с низким током смещения и защитой входа от перегрузок по напряжению и электромагнитных помех

Время чтения: 3 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?