Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: EBVchips: Genesis — IGBT модули с диодами на основе карбида кремния (SiC) для бытовых инверторов солнечных батарей
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

EBVchips: Genesis — IGBT модули с диодами на основе карбида кремния (SiC) для бытовых инверторов солнечных батарей

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 3 минут
Поделиться

Genesis представляют собой завершенные интегрированные модули однофазного инвертора для фотоэлектрических преобразователей энергии. Модули обеспечивают ток до 50 А при рабочем напряжении до 600 В и предназначены для построения преобразователей мощностью от 2.5 до 6 кВА, эксплуатируемых в жилых помещениях.

Genesis — новейший серийный проект в линейке EBVchips. Под брендом EBVchips компания EBV Elektronik самостоятельно создает электронные компоненты, разработанные совместно со своими клиентами для их собственных нужд! Вся продукция производиться на заводах поставщиков компании EBV и полностью отвечает специализированным требованиям заказчика, неудовлетворенного параметрами стандартных компонентов. Данный сервис позволил EBV стать первым в мире дистрибьютором полупроводников, предлагающим такие услуги. Под брендом EBVchips клиентам предлагаются конкурентные преимущества, поскольку теперь они получают именно те продукты и технологии, которые необходимы для конкретных приложений.

Модули Genesis интегрируют лучшие в своем классе полупроводниковые компоненты: IGBT транзисторы с вертикальным затвором и блокирующим слоем (Trench IGBT), обеспечивающие оптимальный компромисс между проводимостью и потерями переключения, диоды на основе карбида кремния, позволяющие снизить коммутационные потери и уменьшить электромагнитные помехи, кремниевые эпитаксиальные диоды с быстрым восстановлением (FRED), осуществляющие шунтирование бустерного транзистора и защиту модуля от подачи напряжения питания обратной полярности.

Genesis реализует гибкую, проверенную и простую в использовании топологию силовых преобразователей: стабилизированный повышающий конвертер, позволяющий получить максимально возможное количество энергии от солнечной батареи, дополненный однофазным мостовым преобразователем постоянного тока в переменный. Использование модулей Genesis позволяет разработчикам избежать проблем с отводом тепла и сложностью монтажа дискретных полупроводниковых элементов, обеспечивая улучшение надежности, производительности и технологичности.

Genesis использует популярный корпус Econo2, представляющий собой стандартный блок с медной подложкой, широко используемый в тысячах промышленных приложений благодаря общепризнанной высокой надежности. Высокая степень интеграции полупроводниковых компонентов в сочетании с оптимальной компоновкой обеспечивают минимизацию паразитных индуктивностей, что позволяет упростить миграцию для клиентов, уже использующих модули SixPack в однофазных преобразователях, предоставляя им возможность увеличить эффективность изделий и уменьшить уровень электромагнитных помех.

Внутренняя архитектура IGBT-модуля Genesis

Отличительные особенности:

  • Trench IGBT транзисторы с низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер в открытом состоянии
  • Диоды на основе карбида кремния
  • Эпитаксиальные диоды с быстрым восстановлением (FRED Pt®)
  • Допустимо короткое замыкание в течение 5 мкс
  • Полностью квадратная область безопасной работы при выключении (RBSOA)
  • Положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер в открытом состоянии
  • Низкий уровень паразитных индуктивностей
  • Быстродействие от 4 кГц до 30 кГц
  • Соответствуют требованиям RoHS 2002/95/EC
  • Пригодны для промышленного применения

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на IGBT-модули Genesis (англ.)

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья NXP: DAC1408D750 – совместимый со стандартом JESD204A сдвоенный 14-битный ЦАП, предназначенный для применения в устройствах широкополосной связи и измерительной аппаратуре
Следующая статья Avago Technologies: ACPL-P343/W343 — оптоизолированные драйверы MOSFET/IGBT с выходным током 4A и полным размахом выходного напряжения (rail-to-rail) в корпусе SO6
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Avago Technologies: TheiaLED — новая серия миниатюрных светодиодов мощностью 0.25 Вт и 0.5 Вт для поверхностного монтажа

Время чтения: 3 минут

STMicroelectronics: STM6600 / STM6601 — новые микросхемы контроллеров интеллектуальных тактовых кнопок “On/Off”, служащие для защиты и улучшения функционирования устройств с батарейным питанием

Время чтения: 2 минут

Texas Instruments: TPS6213x – семейство понижающих преобразователей постоянного напряжения с током нагрузки до 3 А, входным напряжением от 3 В до 17 В, в компактных корпусах QFN размером 3×3 мм

Время чтения: 3 минут

Vishay: VOW3120 — оптически изолированная схема управления затворами MOSFET и IGBT транзисторов с выходным током до 2.5 А в широкопрофильном корпусе с высокой степенью изоляции

Время чтения: 2 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?