Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Fairchild Semiconductor: FGH75T65SQD — новые IGBT-транзисторы на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Fairchild Semiconductor: FGH75T65SQD — новые IGBT-транзисторы на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 2 минут
Поделиться

Компания Fairchild представила быстродействующие IGBT-транзисторы на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения с низкими потерями на переключение. Новые приборы обладают плавной характеристикой переключения, что приводит к минимальным выбросам напряжения и низкому «звону» и, как следствие, низкому уровню электромагнитного излучения и высокой надежности транзистора.

Новый IGBT-транзистор FGH75T65SQD на основе технологии Field Stop Trench поддерживает напряжение коллектор-эмиттер 650 В и ток коллектора до 75 А. Прибор оптимизирован для применения в солнечных инверторах, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, телекоммуникационном оборудовании, коммутирующих схемах и корректорах коэффициента мощности, для которых основным критерием являются низкие потери проводимости и потери на переключение.

Технология Fieldstop четвёртого поколения позволяет создавать IGBT-транзисторы с наилучшим показателем качества. Производитель намерен выпускать транзисторы с различным соотношением напряжения насыщения к энергии выключения (VCE(sat)/Eoff), чтобы сделать данную технологию наилучшим выбором для любых приложений и топологий.

IGBT-транзистор FGH75T65SQD

Отличительные особенности:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер VCES: 650 В
  • Максимальный ток коллектора IC: 75 А (при TC = +100°C), 150 А (при TC = +25°C)
  • Низкое напряжение насыщения VCE(sat): 1.6 В при токе коллектора 75 А
  • Положительный температурный коэффициент позволяет использовать несколько транзисторов в параллельном включении
  • Высокое входное сопротивление
  • Высокая скорость переключения
  • Все транзисторы прошли тест по методике ILM(1)
  • Небольшой разброс параметров между отдельными экземплярами изделия
  • Максимальная температура перехода: +175°C
  • Корпус TO-247, соответствующий требованиям директивы RoHS

Область применения:

  • Солнечные инверторы
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Сварочные аппараты
  • Телекоммуникационное оборудование
  • Электронные коммутирующие схемы (ESS)
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC)

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на FGH75T65SQD (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Analog Devices: HMC8038/HMC7992 — радиочастотные кремниевые переключатели для систем сотовой связи
Следующая статья Infineon Technolgies: MOSFET-транзисторы семейства CoolMOS™ CE в новом корпусе SOT-223 предлагают недорогую замену устройств в DPAK-корпусах
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Infineon Technologies: Плата расширения на базе микроконтроллера XMC1202 для разработки систем светодиодного освещения

Время чтения: 2 минут

STMicroelectronics: Новое семейство быстродействующих 600-вольтовых HF IGBT-транзисторов

Время чтения: 3 минут

ON Semiconductor: NCP1032 — интегральный DC/DC преобразователь мощностью 3 Вт с ШИМ-регулированием

Время чтения: 2 минут

NXP: BLL6H0514L-130 / BLL6H0514LS-130 — силовые LDMOS-транзисторы

Время чтения: 2 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?