Транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В и 30 В, выполненные по оптимизированной кремниевой технологии, соответствуют требованиям нового поколения стандартов по КПД и плотности мощности для схем преобразователей постоянного напряжения.
Транзисторы семейства OptiMOS™ 5 предназначены для построения различных схем преобразователей напряжения, применяемых в вычислительной технике: серверах, системах обмена данными и клиентских машинах, которые выполнены на основе платформы многофазного питания Intel VR и IMVP.
Транзисторы OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В и 30 В обладают повышенным на 1% КПД во всем диапазоне допустимых нагрузок по сравнению с предыдущим поколением устройств, в которых максимальный КПД в схемах серверных преобразователей напряжения достигал 95%. Такое улучшение удалось достичь за счёт снижения потерь на переключение (добротности) на 50% по отношению к предыдущей версии технологии OptiMOS™. Использование новых транзисторов OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В позволяет экономить 26.3 кВт энергии в год для одного серверного процессора мощностью 130 Вт с непрерывной работой в течение года. Если рассматривать серверную ферму, включающую 50 000 таких серверов, то средняя экономия энергии в год составит 1.3 ГВт.
Семейство будет расширяться за счёт внедрения новых технологий изготовления корпусов транзисторов, которые смогут экономнее использовать монтажную площадь печатных плат. Одна из таких технологий – сборка Power Block размером 5 мм х 5 мм, в которой размещён силовой каскад из DrMOS-транзисторов с общим истоком в нижнем плече для улучшения тепловых характеристик. Этот тип корпуса обладает в два раза меньшим тепловым сопротивлением по сравнению со стандартным корпусом, таким как SuperSO8.
| Сравнительный анализ эффективности MOSFET-транзисторов, выполненных по технологиям OptiMOSTM и OptiMOSTM 5 |
Отличительные особенности:
- Наименьшее в своем классе устройств сопротивление открытого канала RDS(ON)
- Эталонная эффективность переключения — лучшие показатели добротности по RDS(ON) x QG и RDS(ON) x QGD
- Низкий уровень электромагнитных излучений за счёт встроенной подавляющей цепи
- Наивысшая плотность мощности в корпусах S308 и Power Block
- Снижают общую стоимость системы
- Оптимизированы для применения в схемах с высокой частотой переключения
Область применения:
- Настольные компьютеры и серверы
- Одно- и многофазные преобразователи напряжения типа Point-Of-Load
- Преобразователи напряжения схем питания центральных и графических процессоров в ноутбуках
- Преобразователи напряжения с высокой плотностью мощности
- Активные выпрямители (Or-ing архитектура)
- Электронные предохранители
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
MOSFET-транзисторы OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В и 30 В на сайте Infineon (англ.)