Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: ON Semiconductor: NDF10N60Z — 10 А, 600 В, 0.65 Ом N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-220FP
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

ON Semiconductor: NDF10N60Z — 10 А, 600 В, 0.65 Ом N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-220FP

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 2 минут
Поделиться

Данный N-канальный силовой MOSFET-транзистор рассчитан на напряжение пробоя до 600 В и имеет сопротивление открытого канала 0.65 Ом. Кроме малого сопротивление открытого канала сток-исток RDS(ON), транзистор имеет повышенную скорость переключения, положительно отражающуюся на эффективности работы.

Преимущества применения:

  • Улучшение производительности работы системы
  • Более быстрое время включения
  • Соответствие требованиям RoHS
  • Надежность работы

Пример применения

 

Отличительные особенности

  • Низкое сопротивление открытого канала RDS(ON)
  • Малый заряд затвора
  • Не соджержит свинца и галогенов
  • Тестирован на лавинный пробой
Наименование VDSS
(В)
ID
(А)
Корпус RDS(ON)
@ 50% ID
(Ом)
QG
@ ID
(нКл)
QRR
@ ID
(мкКл)
NDF05N50ZG 500 5 TO-220FP 1.25 18.5 1.25
NDD05N50ZT4G 500 5 DPAK 1.25 18.5 1.25
NDD05N50Z-1G 500 5 IPAK 1.25 18.5 1.25
NDF08N50ZG 500 8 TO-220FP 0.69 31.0 1.85
NDF02N60ZG 600 2 TO-220FP 4 10.1 0.7
NDD02N60ZT4G 600 2 DPAK 4 10.1 0.7
NDD02N60Z-1G 600 2 IPAK 4 10.1 0.7
NDF03N60ZG 600 3 TO-220FP 3.3 12 0.9
NDD03N60ZT4G 600 3 DPAK 3.3 12 0.9
NDD03N60Z-1G 600 3 IPAK 3.3 12 0.9
NDF04N60ZG 600 4 TO-220FP 1.8 19 1.3
NDD04N60ZT4G 600 4 DPAK 1.8 19 1.3
NDD04N60Z-1G 600 4 IPAK 1.8 19 1.3
NDF06N60ZG 600 6 TO-220FP 0.98 31 2
NDF10N60ZG 600 10 TO-220FP 0.65 47 3
NDF04N62ZG 620 4 TO-220FP 1.8 19 1.3
NDF06N62ZG 620 6 TO-220FP 0.98 31 2
NDF10N62ZG 620 10 TO-220FP 0.65 47 3

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Vishay: SiHxxN60EF — N-канальные MOSFET-транзисторы с напряжением сток-исток 600 В и быстродействующим паразитным диодом
Следующая статья STMicroelectronics: STL21N65M5 — 17 А, 650 В, 0.175 Ом N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе PowerFLAT (8×8) HV
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Broadcom: ACPL-32JT — оптически изолированный драйвер затворов MOSFET-/IGBT-транзисторов, с выходным током 2.5 А и встроенным обратноходовым контроллером напряжения, предназначенный для автомобильных приложений

Время чтения: 3 минут

NXP: PCF8536 — универсальный драйвер мультиплексированного ЖК индикатора с 6-канальным ШИМ генератором

Время чтения: 2 минут

Toshiba Electronics: TLP700 — новый оптрон в ультракомпактном корпусе, предназначенный для управления затворами MOSFET и IGBT транзисторов

Время чтения: 2 минут

Atmel: ATmega128RFA1 — однокристальный микроконтроллер для беспроводных приложений

Время чтения: 2 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?