Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Vishay: SiHxxN60EF — N-канальные MOSFET-транзисторы с напряжением сток-исток 600 В и быстродействующим паразитным диодом
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Vishay: SiHxxN60EF — N-канальные MOSFET-транзисторы с напряжением сток-исток 600 В и быстродействующим паразитным диодом

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 3 минут
Поделиться

Новые MOSFET-транзисторы серии EF обеспечивают высокую надежность и экономию энергии в схемах с мягким режимом переключения.

Новые транзисторы, выполненные по технологии суперперехода второго поколения, являются дополнением к существующей стандартной серии устройств E и предназначены для использования в схемах с «мягким» режимом переключения и с переключением при нулевом напряжения: мостовых схемах со сдвигом фазы и резонансных полумостовых LLC-преобразователях.

SiHx21N60EF, SiHx47N60EF и SiHx70N60EF обладают в 10 раз меньшим зарядом затвора по сравнению со стандартными MOSFET-транзисторами. Это позволяет устройствам намного быстрее блокировать пробивное напряжение и предотвращать повреждение компонента в связи с необратимым пробоем или перегревом. Сверхнизкие сопротивление открытого канала и величина заряда затвора приводят к существенному снижению потерь на проводимость и переключение, что в свою очередь способствует экономии энергии в мощных высокопроизводительных импульсных приложениях.

Схемотехника:

  • Транзисторы разработаны для схем с мягким переключением и переключением в нуле напряжения:
    • Полу-мостовые резонансные LLC-каскады
    • Мостовые каскады со сдвигом фазы
  • Могут использоваться в схемах с жестким переключением, при которых внутренний шунтирующий диод работает только в первом квадранте (никогда не переходит в открытое состояние):
    • Корректоры коэффициента мощности (PFC)
    • Двухтактный прямоходовой преобразователь
    • Обратноходовой преобразователь
    • Прямоходовой преобразователь
Наименование VDS
(В)
ID
(А)
RDS(ON)
(мОм)
макс.
@ 10 В
QG
(нКл)
Корпус
SiHP21N60EF 600 21 176 56 TO-220
SiHB21N60EF 600 21 176 56 TO-263
SiHA21N60EF 600 21 176 56 TO-220F
SiHG21N60EF 600 21 176 56 TO-247AC
SiHG47N60EF 600 47 65 152 TO-247AC
SiHW47N60EF 600 47 65 152 TO-247AD
SiHG70N60EF 600 70 38 253 TO-247AC
SiHW70N60EF 600 70 38 253 TO-247AD

 

Отличительные особенности:

  • Низкий заряд обратного восстановления (Qrr) увеличивает надежность схем с переключением в нуле напряжения
  • Очень низкие сопротивление открытого канала и заряд затвора снижают потери на проводимость и переключение
  • Выпускаются в корпусах: TO-220, TO-220F, TO-263, TO-247AD и TO-247AC
  • Выдерживают высокоэнергетические импульсы в условиях лавинного пробоя и в режиме коммутации — полностью протестированы по методике UIS
  • Соответствуют требованиям директивы RoHS и не содержат галоидных соединений

Область применения:

  • Силовые каскады с импульсным режимом работы
    • Солнечные инверторы
    • Модули питания серверов и телекоммуникационного оборудования
    • Импульсные блоки питания формата ATX для ПК и игровых приставок
    • Сварочное оборудование
    • Источники бесперебойного питания (UPS)
    • Зарядные устройства

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Руководство по применению: Мостовой конвертер с переключением в нуле напряжения: принцип действия, характеристики и руководство по выбору силовых MOSFET-транзисторов (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Vishay: SQJQ402E — MOSFET-транзистор семейства TrenchFET® в корпусе PowerPAK® размером 8 мм x 8 мм с максимальным током стока до 200 А и напряжением сток-исток до 40 В
Следующая статья ON Semiconductor: NDF10N60Z — 10 А, 600 В, 0.65 Ом N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-220FP
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Infineon Technologies: TLE983x – новое семейство систем-на-кристалле (SOC) для автомобильных коммутационных приложений с LIN-интерфейсом

Время чтения: 4 минут

NXP: PSMN075-100MSE — N-канальный MOSFET транзистор средней мощности на 100 В, 18 А, с сопротивлением открытого канала 71 мОм, в корпусе LFPAK33

Время чтения: 2 минут

Texas Instruments: ADS8634 / ADS8638 — 12-битные АЦП с частотой преобразования 1 MSPS и биполярным питанием

Время чтения: 2 минут

Freescale Semiconductor: MK24FN256VDC12 — микроконтроллер серии Kinetis K24 на базе ядра ARM Cortex-M4

Время чтения: 5 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?