Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: STMicroelectronics: Новые MOSFET-транзисторы серии STripFET VII F7 с рабочим напряжением 100 В , выполенные по усовершенствованной Trench-технологии
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

STMicroelectronics: Новые MOSFET-транзисторы серии STripFET VII F7 с рабочим напряжением 100 В , выполенные по усовершенствованной Trench-технологии

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 2 минут
Поделиться

Новые полевые транзисторы представляют собой 7-е поколение устройств, выполненных по запатентованной технологии STripFET™ компании STMicroelectronics, и отличаются новой структурой затвора.

MOSFET-транзисторы STripFET™ VII DeepGATE™ серии F7 обеспечивают наименьшие потери на электропроводность, среди всех доступных на сегодня транзисторов с максимальным напряжением сток-исток 80 В и 100 В, демонстрируя при этом еще большую эффективность переключения. Помимо этого, новые устройства помогут значительно упростить схему, снизить размеры и стоимость конечного решения благодаря возможности использовать всего несколько внешних компонентов в миниатюрных корпусах.

Отличительные особенности:

  • Значительным шагом в технологии STripFET VII DeepGATE является улучшенная структура затвора MOSFET-транзистора, которая снижает сопротивление открытого канала прибора, а также паразитные ёмкости и заряд затвора, благодаря чему он может переключаться быстрее и с меньшими потерями. Транзисторы выполнены с большим запасом прочности по лавинному пробою, что гарантирует работу устройства в особо тяжёлых условиях, например, в автомобильных системах.
  • Номенклатура транзисторов семейства STripFET VII DeepGATE включает 42 наименований, и большинство из них уже доступны для заказа. Среди них представлены устройства с максимальным напряжением сток-исток 80 В и 100 В, доступных в корпусах типа TO-220AB/FP, DPAK, PowerFLAT™ размерами 5 x 6 мм, а также в корпусе H2PAK с двумя или шестью выводами.

Область применения:

  • Транзисторы STripFET VII DeepGATE обеспечивают высокие КПД, плотность мощности и запас прочности по величинам максимально допустимых напряжений и поэтому способны работать в самом широком спектре приложений. Устройства серии STripFET VII DeepGATE идеально подходят для применения в системах с 48-вольтовой шиной питания постоянного тока, широко применяемой в телекоммуникационном оборудовании; транзисторы на 80 В и 100 В имеют достаточный «запас прочности» для надежной работы в типовых условиях скачков напряжения, возникающих в 48-вольтовых системах. Помимо этого, транзисторы STripFET VII DeepGATE можно использовать в чрезвычайно сложных условиях окружающей среды в 12- или 24-вольтовых автомобильных приложениях.

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Веб-страница STMicroelectronics по MOSFET-транзисторам STripFET™ VII DeepGATE™ на 80 В и 100 В (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья STMicroelectronics: TSV619x — операционный усилитель в входом и выходом типа Rail-to-Rail
Следующая статья Texas Instruments: ADS42JB69 — двухканальный 16-битный АЦП с частотой дискретизации 250 MSPS (млн. выборок в сек.)
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Atmel Corporation: ATA663431, ATA663454 — новое поколение базовых системных микросхем с полностью интегрированным приемопередатчиком LIN интерфейса

Время чтения: 4 минут

Fairchild Semiconductor: FNA21012A — интеллектуальный модуль питания со встроенным силовым ключом с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В для промышленных систем управления электродвигателем

Время чтения: 4 минут

Freescale Semiconductor: AFT05MS004N — радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast мощностью 4 Вт для персональных систем подвижной радиосвязи и измерительных приборов

Время чтения: 2 минут

NXP: PSMN075-100MSE — N-канальный MOSFET транзистор средней мощности на 100 В, 18 А, с сопротивлением открытого канала 71 мОм, в корпусе LFPAK33

Время чтения: 2 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?