Toshiba Electronics: N-канальные MOSFET-транзисторы семейства TKxP60

Высокопроизводительные силовые MOSFET-транзисторы для применения в приложениях с напряжениями до 650 В и токами до 20 A

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) анонсировала новое семейство мощных MOSFET-транзисторов с улучшенной эффективностью работы, более быстрыми скоростями переключения для приложений, работающих в диапазоне напряжений до 650 В и токами до 20 А.

Новая серия транзисторов TK идеально подойдет для использования в новой и активно развивающейся сфере энергосберегающих приложений, включающую корректоры коэффициента мощности (PFC, Power Factor Correction) и осветительные балласты. В процессе создания новых силовых MOSFET-транзисторов компания Toshiba совмещала прогрессивные методы корпусирования наряду с последними -MOS VII полупроводниковыми технологиями.

Результатом такого подхода явился целый ряд устройств, демонстрирующих улучшенное рассеяние мощности и характеристики силовых циклов работы, минимизированные емкость и заряд затвора (Q_G), уменьшенное сопротивление открытого канала исток-сток (R_DS(ON)) и лучшее соотношение цена/производительность в сравнении с предыдущими поколениями приборов. В заключение, для всех MOSFET-транзисторов гарантируется устойчивость к всплескам стоковых токов.

Отличительные особенности

• Низкое сопротивление открытого канала R_DS(ON): TK2P60 = 3.3 Ом (тип.), TK4P60 = 1.7 Ом (тип.)
• Высокая прямая проводимость Y_FS: TK2P60 = 1.0 S (тип.), TK4P60 = 2.2 S (тип.)
• Малый ток утечки I_DSS = 10 мкА при V_DS = 600 В
• Режим обогащения: V_TH = 2.4…4.4 В при V_DS = 10 В, I_D = 1 мА

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Документация на TK2P60 (англ.)

Документация TK4P60 (англ.)