Cypress Semiconductor: S26Kxxxx — cемейство микросхем NOR-флэш памяти HyperFlash™ объёмом от 128 Мбит до 512 Мбит, выполненных по 65-нм техпроцессу, с напряжением питания 3.0 В и 1.8 В и технологией MirrorBit®
Автор: admin
7 Апр
Новое семейство микросхем NOR FLASH памяти от компании Cypress обладает увеличенной скоростью чтения-записи данных по сравнению с аналогичными устройствами с 4-канальным SPI-интерфейсом и содержит на треть меньше выводов по сравнению с NOR FLASH с параллельным интерфейсом.
Высокая плотность данных – от 128 Мбит до 512 Мбит – позволяет использовать память HyperFlash для высокопроизводительных встраиваемых систем, которые находят применение в автомобильных системах помощи водителю (ADAS), приборных панелях и информационно-развлекательных комплексах автомобилей, сетевых маршрутизаторах и коммутаторах, а также в ТВ-приставках высокой четкости. Память обладает высочайшей скоростью считывания данных – до 333 МБ/с, что в 5 раз быстрее, чем у аналогичных микросхем с интерфейсом SPI.
Микросхемы памяти семейства HyperFlash прошли успешные испытания на соответствие высоким стандартам качества, в том числе автомобильному стандарту AEC-Q100, и рассчитаны на эксплуатацию в диапазоне температур от -40°C до 125°C.
 |
Внутренняя архитектура S26KL256S |
Отличительные особенности:
- Диапазон напряжения питания: от 1.70 В до 1.95 В (S26KSxxxS) и от 2.7 В до 3.6 В (S26KLxxxS)
- Объем памяти: 128 Мбит (S26Kx128S), 256 Мбит (S26Kx256S) и 512 Мбит (S26Kx512S)
- 8-битная шина данных
- Минимальное количество циклов записи/стирания сектора: 100.000
- Типовой срок хранения записанных данных при температуре +55ºC: 20 лет
- Первоначальное время доступа: 96 нс
- Тактовая частота при скорости считывания данных 333 Мбит/с и напряжении питания 1.8 В: 166 МГц
- Тактовая частота при скорости считывания данных 200 Мбит/с и напряжении питания 3,0 В: 100 МГц
- Типовое время записи 512 Байт данных: 475 мкс
- Типовое время посекторного стирания блока размером 256 КБ: 930 мс
- Промышленный диапазон рабочих температур: от -40ºC до +85ºC
- Расширенный промышленный диапазон рабочих температур: от -40ºC до +105ºC
- Расширенный диапазон рабочих температур (опционально для стандарта AEC-Q100): от -40ºC до +125ºC
- 24-выводной корпус BGA размером 6 мм x 8 мм
Преимущества:
- NOR FLASH память HyperFlash обеспечивает высочайшую производительность встраиваемых систем:
- Немедленное включение устройства за счет быстрого считывания микроконтроллером кода из загрузочного сектора памяти NOR FLASH через интерфейс HyperBus с малым количеством линий
- Поддержка больших ЖК-дисплеев высокого разрешения благодаря предварительно сохраненным в памяти NOR FLASH просчитанным изображениям, которые затем загружаются непосредственно в графический процессор
- Плавное отображение сложных движений и графики за счет быстрого считывания нескольких изображений (например, стрелка тахометра на автомобильной панели приборов, выполненной на основе ЖК-экрана)
Область применения:
- Автомобильные приборные панели
- Автомобильные информационно-развлекательные системы
- Коммуникационное оборудование
- Высокопроизводительные потребительские товары
- Устройства отображения и графические приложения
- Различные приложения с высокой скоростью потока отображения графической информации
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на S26KL/S128S, S26KL/S256S, S26KL/S512S (англ.)