Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
15 Янв
Новая линейка модулей на базе силовых SuperFET® MOSFET-транзисторов с напряжением сток-исток 600 В и уровнем мощности свыше 200 Вт. Модули интегрируют шесть транзисторов и полумостовые драйверы, необходимые для построения схем трёхфазных мостовых инверторов.
FSB50660SFS интегрирует MOSFET-транзисторы с сопротивлением открытого канала 700 мОм, а FSB50760SFS — 530 мОм, что на 60% меньше по сравнению с предыдущим моделями семейства, обеспечивая более высокий уровень мощности. Встроенные драйверы затворов транзисторов оптимизированы для управления скоростью нарастания напряжения и тока в ключах, что способствует ограничению уровня электромагнитных помех. Это упрощает схемотехническое решение и сокращает время вывода коечного продукта на рынок.
Модули предназначены для поверхностного монтажа и выполнены методом литьевого прессования. Такая конструкция обеспечивает непревзойденный уровень надежности системы благодаря возможности выдерживать более высокие тепловые нагрузки, что увеличивает срок службы устройства и упрощает схему теплоотвода. Кроме того, модули с поверхностным монтажом более приспособлены для автоматических линий сборки, чем устройства в DIP-корпусах.
Среда проектирования схем управления электродвигателями компании Fairchild позволяет разработчикам выбрать необходимый модуль и предварительно оценить его общее тепловыделение и вариации температуры во время вращения двигателя.
![]() |
Внутренняя архитектура FSB50x60SFS |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на FSB50660SFS (англ.)
Документация на FSB50760SFS (англ.)
![]() |
Подпишись на новости! |