Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
23 Дек
Устройства обеспечивают возможность использования как нижней, так и верхней поверхности стандартного промышленного корпуса PQFN для охлаждения транзистора!
По сравнению с предшественниками, новые транзисторы обладают увеличенным двухсторонним теплорассеянием и низкими значениями паразитных параметров, что при использовании дополнительного теплоотвода позволяет добиться впечатляющих результатов. Лабораторные исследования показали, что применение транзистора в корпусе с двухсторонним охлаждением и размещение его на дополнительном радиаторе, равно как и без такового, позволяет значительно повысить выходной ток и плотность мощности синхронных понижающих преобразователей напряжения при малом увеличении температуры рассеиваемого теплого потока прибора.
Выполненные по фирменной технологии Fairchild trench silicon, корпуса с двойным охлаждением являются бесспорными лидерами в достижении высокой плотности мощности и тепловой производительности. Решения на её основе не содержат в своей конструкции свинца, совместимы с требованиями директивы RoHS и поставляются в корпусах PQFN размерами 3.3 мм x 3.3 мм, 5 мм x 6 мм и 8 мм x 8 мм.
![]() |
MOSFET-транзисторы с двухсторонним теплоотводом FDMT800xxx |
Отличительные особенности:
Наименование | VDS (В) |
ID (А) |
RDS(ON) (мОм) |
---|---|---|---|
FDMT80060DC | 60 | 292 | 1.1 |
FDMT80080DC | 80 | 254 | 1.35 |
FDMT800100DC | 100 | 162 | 2.95 |
FDMT800120DC | 120 | 128 | 4.2 |
FDMT800152DC | 150 | 72 | 9.0 |
FDMT800150DC | 150 | 99 | 6.5 |
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
![]() |
Подпишись на новости! |