MB85R4M2T представляет собой ферроэлектрическое ОЗУ объёмом 4 Мбит с параллельным интерфейсом. Устройство доступно в 44-выводном пластиковом корпусе TSOP и совместимо по выводам со стандартной низковольтной памятью SRAM.

По сравнению с моделью MB85R4001A, для данной памяти характерны повышенная надёжность (срок хранения данных — 10 лет при температуре +85 ºC и количество циклов перезаписи до 10¹³), а также более эффективная структура ячеек хранения данных. Благодаря этому MB85R4M2T успешно заменит память SRAM с резервным питанием от батареи в различных приложениях, таких как автоматизация производства, офисное оборудование, системы безопасности и медицинские приборы.

Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) – это тип памяти, одновременно поддерживающей свойства энергонезависимой памяти (EEPROM) и статической памяти с произвольным доступом (SRAM). Энергонезависимость памяти обеспечивает сохранность данных даже при отсутствии напряжения питания, в то время как произвольный доступ обеспечивает более быструю их запись без задержек, характерных для энергонезависимой памяти других видов. Также память типа FRAM является очень долговечной – количество циклов перезаписи данных составляет не менее 10 триллионов. Способность сохранять последние записанные данные даже при кратковременных сбоях или полном отключении питания делает FRAM-паямть идеальным решением для хранения критически важных системных параметров и регистрации данных в сложных условиях работы.

Поскольку FRAM является энергонезависимой и, следовательно, использование аккумулятора оказывается не нужным, то площадь печатной платы, занимаемой блоком запоминающих устройств, может быть снижена более чем в два раза. Помимо этого, отсутствие аккумулятора означает снижение расходов, как на саму батарею, так и на её обслуживание, что, в конечном счёте, приводит к уменьшению стоимости всего решения. Энергонезависимость также обеспечивает снижение потребляемой мощности: если память SRAM даже в режиме хранения данных при отсутствии основного питания потребляет мощность порядка 15 мкВт/сек, то у FRAM-памяти в том же режиме потребление энергии полностью отсутствует.

Блок-схема FRAM памяти MB85R4M2T

Отличительные особенности:

• Организация памяти: 262 144 слов × 16 бит
• Управление по старшему или младшему байту данных: возможна организация памяти 524 288 слов × 8 бит
• Количество циклов перезаписи: 10¹² (16 бит)
• Гарантированный срок хранения данных: 10 лет (при температуре +85°C)
• Диапазон напряжения питания: от 1.8 В до 3.6 В
• Максимальный ток потребления:
  • В рабочем режиме — 20 мА
  • В ждущем режиме 150 мкА
  • В спящем режиме — 20 мкА
• Диапазон рабочих температур: от − 40°C до + 85°C
• 44-выводной пластиковый корпус TSOP (FPT-44P-M34)
• Соответствует требованиям директивы RoHS

Область применения:

• Радиационно-защищенные системы диагностики
• Измерители потока жидкости или газа
• Ветряные мельницы/солнечные инверторы
• Предохранители
• Схемы управления двигателями/угловой энкодер
• Программируемый логический контроллер
• Кассовые аппараты/мобильные платежные терминалы
• Системы мониторинга промышленных техпроцессов
• Промышленные датчики
• Торговые и игровые автоматы
• Замена блоков памяти на основе SRAM с резервным питанием от батареи

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на MB85R4M2T (англ.)