Серия 5PB11xx представляет собой линейку высокопроизводительных буферов тактового сигнала на основе технологии LVCMOS. Новые устройства отличаются выдающимся среднеквадратическим значением суммарного фазового джиттера, составляющим всего 50 фс.

Буферы поставляются в очень компактном 8-выводном корпусе DFN размером 2 мм х 2 мм, который допускает установку микросхемы в условиях крайне ограниченного пространства печатной платы. Однако приборы доступны и в других типах корпусов, в зависимости от количества выходов. Устройства поддерживают 2, 4, 6, 8 и 10 выходов, совместимых с LVCMOS логическим уровнем сигнала и могут работать от источника питания со стандартным напряжением 1.8 В, 2.5 В или 3.3 В. Чрезвычайно низкий ток потребления в активном состоянии (5 мА на канал при напряжении питания 3.3 В) минимизирует тепловыделение устройства.

Буферы 5PB11xx обладают очень низким значением фазового джиттера – менее 50 фс в диапазоне частот от 12 кГц до 20 МГц, позволяя разработчикам создавать конкурентоспособные схемы тактирования с заданными рабочими характеристиками с достаточным запасом по фазовому джиттеру.

Компания IDT также анонсировала LVCMOS-буферы серий 551S и 553S с коэффициентом разветвления по выходу 1:4 и уровнем фазового джиттера меньше 50 фс в корпусах промышленного стандарта 551 и 553. Эти устройства выпускаются в 8-выводных корпусах DFN размером 2 мм х 2 мм и поддерживают работу от источника питания напряжением от 1.8 В до 3.3 В.

Внутренняя архитектура буферов серии 5PB11xx

Новые буферы идеально подходят для применения в высококачественных потребительских товарах, промышленном и телекоммуникационном оборудовании, устройствах хранения и передачи данных и вычислительной технике, где главным требованием является высокая точность синхронизации и компактные размеры.

Отличительные особенности:

• Чрезвычайно низкое среднеквадратическое значение фазового джиттера: менее 50 фс в диапазоне частот от 12 кГц до 20 МГц
• Малая длительность фронта выходного импульса: 50 пс
• Низкий ток потребления ядра при отсутствии нагрузки: 14 мА
• Лучшая в своём классе устройств производительность
• Напряжение источника питания: 1.8 В, 2.5 В или 3.3 В
• Малые размеры кристалла позволяют размещать его в компактном корпусе DFN размером 2 мм х 2 мм. Также доступны другие типы корпусов
• Конкурентоспособная цена
• Новые версии для устаревших высокоскоростных буферов
• Диапазон рабочих температур: от -40°C до 105°C

Область применения:

• Потребительская электроника премиум-класса
• Сетевые устройства
• Вычислительная техника
• Промышленное оборудование
• Телекоммуникации
• Медицинские приборы
• Автомобильные развлекательные системы
• Инфраструктура беспроводных сетей

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на 5PB11xx (англ.)