Карбид кремния (SiC) – идеальный полупроводниковый материал для построения силовых электронных приборов, которые уверенно превосходят кремниевые (Si) и нитрид-галлиевые (GaN) силовые приборы.

SiC-диоды позволяют добиться рекордных коммутационных характеристик (практически полностью избавлены от потерь коммутации) и отличных характеристик проводимости, особенно при работе с напряжениями 600В и выше. Данные свойства позволяют установить новую рекордную планку по эффективности и снизить сложность импульсных блоков питания. Кроме того, благодаря увеличению диаметра пластины SiC-приборов, эта, прежде экзотическая и дорогостоящая технология, стала более доступной.

Компания Infineon недавно выпустила третье поколение (3G) SiC диодов Шоттки. Диоды из семейства 3G thinQ!TM характеризуются рекордно-низкой емкостью в любом из номиналов тока. Это создает предпосылки для дальнейшего повышения общесистемной эффективности, особенно при работе на повышенных частотах и при малых токах нагрузки. Помимо повышения рабочей частоты и плотности мощности, контроллер предъявляет менее жесткие требования к системе охлаждения, что способствует снижению себестоимости системы.

Наконец, компания Infineon предлагает самый обширный в промышленности ассортимент SiC диодов Шоттки, в который входят исполнения не только в корпусе TO-220 (истинная 2-выводная версия), но также в корпусе DPAK для устройств с поверхностным монтажом и высокой плотностью мощности.

 

Список продуктов

DPAK (TO-252)

Нарпяжение IF [A] QC (тип.) [нКл] IFSM [A] Наименование
600В 3 3.2 11.5 IDD03SG60C
4 4.5 18 IDD04SG60C
5 6 26 IDD05SG60C
6 8 31 IDD06SG60C
8 12 42 IDD08SG60C
9 15 49 IDD09SG60C
10 16 51 IDD10SG60C
12 19 59 IDD12SG60C

TO-220 (2 вывода)

Нарпяжение IF [A] QC (тип.) [нКл] IFSM [A] Наименование
600В 3 3.2 11.5 IDH03SG60C
4 4.5 18 IDH04SG60C
5 6 26 IDH05SG60C
6 8 31 IDH06SG60C
8 12 42 IDH08SG60C
9 15 49 IDH09SG60C
10 16 51 IDH10SG60C
12 19 59 IDH12SG60C
Нарпяжение IF [A] QC (тип.) [нКл] IFSM [A] Наименование
1200В 2 7 14 IDH02SG120
5 18 29 IDH05S120
8 27 39 IDH08S120
10 36 58 IDH10S120
15 54 78 IDH15S120

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Обзор SiC-диодов Шоттки третьего поколения thinQ! 3G (англ.)