Компания Infineon расширила ассортимент мощных MOSFET-транзисторов OptiMOSTM новыми 200- и 250-вольтовыми приборами с лидирующими характеристиками.

Использование 200- и 250-вольтовых транзисторов  OptiMOSTM в выпрямительном каскаде 48-вольтовых источников питания позволит добиться уровня КПД свыше 95%. Это означает, что прирост КПД по отношению к типовым для текущего момента уровням, составит 2% (эквивалентно снижению потерь мощности до 30%). Технологии, по которым выполнены транзисторы, если сравнивать c аналогичными приборами, обеспечивают снижение сопротивления открытого канала RDS(ON) до 50%, а QG (заряд затвора) — до 5%. Кроме того, новые транзисторы несут в себе ряд возможностей по снижению себестоимости системы. Благодаря более низкому сопротивлению канала, они могут работать с более компактным теплоотводом и с меньшим числом параллельно-включенных транзисторов, а, благодаря улучшенным динамическим характеристикам, упрощается процесс проектирования.

Отличительные особенности

  • Низшие в отрасли значения RDS(ON) и QG
  • Превосходные коммутационные характеристики
  • Лучший показатель качества (FOM) QG x RDS(ON)
  • Отвечает требованиям RoHS — не содержит галогенов

 

 

  S308 SuperSO8 TO-220
200 В BSZ1xDN20N3 G
113.0 мΩ		 BSC3x0N20NS3 G
33.0 мΩ		 IPP1x0N20N3 G
12.0 мΩ
250 В BSZ2xDN25NS3 G
210.0 мΩ		 BSC6x0N25NS3 G
65.0 мΩ		 IPP2x0N25N3 G
24.0 мΩ

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Веб-страница Infineon по MOSFET-транзисторам OptiMOS