Новое семейство IGBT-транзисторов ломает скоростные ограничения при различных топологиях.

Изготовленное с учетом требований заказчиков новое семейство IGBT-транзисторов HighSpeed3 с максимальным напряжением 1200 В предназначено для высокочастотных приложений с топологией как жесткого так и мягкого переключения, требуемых в оптимизированных силовых ключах.

Так как рассеиваемая мощность и эффективность являются ключевыми параметрами в обеих топологиях, оптимизация IGBT является решающим способом достижения требуемых параметров. Данные транзисторы отлично подходит для применений, где требуется частота переключений выше 20 кГц. При таких скоростях потери на проводимость незначительны, и величина «токового хвоста» (когда транзистор уже закрыт по входу, но рабочий ток все еще протекает) очень мала. Все это явилось результатом многогранной оптимизации потерь при переключениях.

Исполнение, в котором эмиттерный диод четвертого поколения интегрирован с быстрым IGBT-транзистором, обеспечивает наивысшую надежность, функциональность и оптимальный баланс между потерями проводимости и переключения.

Новое семейство 1200-вольтовых IGBT оптимизировано для работы в составе высокочастотных преобразователей солнечной энергии, бесперебойных источников питания и сварочных аппаратов, предлагая наивысшие энергетические характеристики и производительность.

Сравнительная диаграмма IGBT-транзисторов семейства HighSpeed3 и двух основных конкурентов при 150°С

 

Ic
ном.
А		 Ic
пик.
А		 Ptot
25°C
Вт		 Ptot
100°C
Вт		 Vce
25°C
В		 Vce
175°C
В		 TO-247
Single		 TO-247
Duopack		 Заказ
15 60 217 105 2.05 2.7 IGW15N120H3   Да
25 75 326 156 2.05 2.7 IGW25N120H3   Да
40 160 483 220 2.05 2.7 IGW40N120H3   Да
15 60 217 105 2.05 2.7   IKW15N120H3 Да
25 75 326 156 2.05 2.7   IKW25N120H3 Да
40 160 483 220 2.05 2.7   IGW40N120H3 Да

 

Отличительные особенности

  • Компактная схема и минимальные размеры радиатора
  • Оптимизированный диод снижает рассеяние мощности, когда не требуется реактивная мощность
  • Интеллектуальный режим переключения

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Руководство по применению IGBT-транзисторов семейства High Speed 3 (англ.)

Краткое описание IGBT-транзисторов семейства High Speed 3 (англ.)