Революционное семейство силовых транзисторов CoolMOS™ задает новые стандарты энергоэффективности

Технологический лидер среди высоковольтных MOSFET-транзисторов, семейство CoolMOS™ позволяет значительно снизить потери на переключение и электропроводность, увеличить плотность мощности и КПД в высокопроизводительных системах преобразования энергии.

CoolMOS™ — история развития
Инновационная технология CoolMOS™ разрабатывалась для приложений, отвечающих всем современным требованиям по энергоэффективности и уровню энергопотребления в дежурном режиме. Так например, транзисторы CoolMOS™ используется в системах освещения и преобразователях солнечной энергии ведущих производителей, где требования по энергоэффективности являются одними из ключевых.

Являясь лучшим семейством устройств среди высоковольтных MOSFET-транзисторов, транзисторы CoolMOS™ позволяют значительно снизить потери на переключение и электропроводность, увеличить плотность мощности и КПД в высокопроизводительных системах преобразования энергии. Особенно это заметно на примере последних поколений высоковольтных силовых MOSFET-транзисторов, благодаря которым источники питания типа AC/DC стали более компактными и легкими, снизили выделение тепла и повысили свой КПД. Всё это было достигнуто за счёт самого низкого сопротивления открытого канала ключа, большей скорости его переключения и наименьшим требованиям к схеме управления затвором среди всех коммерчески доступных силовых MOSFET-транзисторов.

Дорожная карта семейства CoolMOS™

Новейшие серии MOSFET-транзисторов CoolMOS™ от Infineon — устанавливают новые стандарты энергоэффективности

  • 650V CoolMOS™ C7 — самая высокая в мире производительность
  • 600V CoolMOS™ P6 — баланс между эффективностью и простотой применения
  • 500V CoolMOS™ CE — лучшая в отрасли технология суперперехода
  • 600/650V CoolMOS™ C6/E6 — новое поколение устройств на смену серии C3
  • 650V CoolMOS™ CFDA — автомобильные технологии на поул-позиции

Область применения:

  • Сетевые адаптеры
  • Потребительская электроника
  • Блоки питания ПК и серверов
  • Телекоммуникационное оборудование
  • Солнечная энергетика
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Системы освещения (лампы мощного разряда (HiD), компактные люминесцентные лампы (CFL) и светодиоды)
  • Автомобильная электроника

Технология CoolMOS™

  • Открытое состояние: снижение сопротивления эпитаксиального слоя за счёт высоколегированных колонок n-типа
    • Повышенный уровень легирования в n-области стока приводит к снижению остаточного сопротивления канала RDS(ON)
  • Закрытое состояние: компенсация дополнительного заряда в смежных p-колонках
    • Половину активной площади кристалла занимают p-колонки
    • Во время закрытого состояния p-колонка компенсирует заряд смежной n-колонки, в результате чего высокое напряжение пробоя в определённой области сопротивления открытого канала ниже кремниевого порога

 

 

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку