Разработанный компанией Infineon техпроцесс диффузионной пайки уже был успешно использован в диодах третьего поколения. При изготовлении диодов последнего, пятого поколения был применён не только данный техпроцесс, но улучшенная технология тонкой подложки, что позволило получить приборы в более компактных корпусах с высокими температурными характеристиками и добротностью (QC x VF).

Благодаря новым диодам схемы коррекции коэффициента мощности, а также схемы повышающих преобразователей будут иметь более высокие значения КПД при любых значениях нагрузки. Повышение КПД удаётся получить за счёт того, что диоды имеют низкое значение накопленного заряда на емкости перехода (QC) и низкий уровень падения прямого напряжения (VF) из-за применения технологии снижения потерь на переходе CoolMOSTM. Кроме того, новые диоды, по сравнению с предыдущими поколениями приборов, обладают повышенным обратным напряжением – до 650 В.

Диоды пятого поколения предназначены для применения в высококачественных импульсных источниках питания серверов и телекоммуникационного оборудования, настольных компьютеров, в системах освещения, инверторах напряжения солнечных элементов и системах бесперебойного питания. Их использование в перечисленных продуктах не только повышает КПД и надёжность, но и позволяет снизить уровень электромагнитных излучений, уменьшить габариты, стоимость и требования к охлаждению. Также новые диоды имеют повышенную стойкость к броскам прямого тока, равно как и само значение этого тока, и предлагаются в корпусах TO-247 и ThinPAK.

650 В TO-220 R2L TO-247 новый D2PAK R2L новый thinPAK 8×8 новый
2 A IDH02G65C5   IDK02G65C5 IDL02G65C5
3 A IDH03G65C5   IDK03G65C5  
4 A IDH04G65C5   IDK04G65C5 IDL04G65C5
5 A IDH05G65C5   IDK05G65C5  
6 A IDH06G65C5   IDK06G65C5 IDL06G65C5
8 A IDH08G65C5   IDK08G65C5 IDL08G65C5
9 A IDH09G65C5   IDK09G65C5  
10 A IDH10G65C5 IDW10G65C5 IDK10G65C5 IDL10G65C5
12 A IDH12G65C5 IDW12G65C5 IDK12G65C5 IDL10G65C5
16 A IDH16G65C5 IDW16G65C5    
20 A IDH20G65C5 IDW20G65C5    
30 A   IDW30G65C5    
40 A   IDW40G65C5    

Отличительные особенности:

  • Обратное напряжение до 650 В
  • Высокий показатель добротности (QC x VF)
  • Отсутствие заряда обратного восстановления
  • Плавная характеристика обратного переключения
  • Характер переключения не зависит от температуры
  • Максимальная рабочая температура TJ = 175°C (макс.)
  • Повышенная стойкость к перегрузкам по току
  • Не содержит свинца

Преимущества:

  • Высокая стойкость к перегрузкам по напряжению и использование технологии низких потерь CoolMOSTM
  • Повышенный КПД схем при любой нагрузке по сравнению с кремниевыми диодами
  • Низкий уровень электромагнитных излучений
  • Очень высокое качество и большие объёмы производства
  • Высокая стабильность характеристики переключения
  • Низкие требования к охлаждению
  • Высокая термостойкость
  • Совместимость с директивой по содержанию вредных веществ RoHS

Область применения:

  • Источники питания серверов и телекоммуникационного оборудования
  • Солнечная энергетика
  • Системы бесперебойного питания
  • Блоки питания настольных компьютеров
  • ЖК-телевизоры
  • Схемы управления двигателями
  • Системы освещения на основе ламп высокой интенсивности разряда

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Каталог SiC диодов Шоттки с технологией thinQ! (англ.)