Транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В и 30 В, выполненные по оптимизированной кремниевой технологии, соответствуют требованиям нового поколения стандартов по КПД и плотности мощности для схем преобразователей постоянного напряжения.

Транзисторы семейства OptiMOS™ 5 предназначены для построения различных схем преобразователей напряжения, применяемых в вычислительной технике: серверах, системах обмена данными и клиентских машинах, которые выполнены на основе платформы многофазного питания Intel VR и IMVP.

Транзисторы OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В и 30 В обладают повышенным на 1% КПД во всем диапазоне допустимых нагрузок по сравнению с предыдущим поколением устройств, в которых максимальный КПД в схемах серверных преобразователей напряжения достигал 95%. Такое улучшение удалось достичь за счёт снижения потерь на переключение (добротности) на 50% по отношению к предыдущей версии технологии OptiMOS™. Использование новых транзисторов OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В позволяет экономить 26.3 кВт энергии в год для одного серверного процессора мощностью 130 Вт с непрерывной работой в течение года. Если рассматривать серверную ферму, включающую 50 000 таких серверов, то средняя экономия энергии в год составит 1.3 ГВт.

Семейство будет расширяться за счёт внедрения новых технологий изготовления корпусов транзисторов, которые смогут экономнее использовать монтажную площадь печатных плат. Одна из таких технологий – сборка Power Block размером 5 мм х 5 мм, в которой размещён силовой каскад из DrMOS-транзисторов с общим истоком в нижнем плече для улучшения тепловых характеристик. Этот тип корпуса обладает в два раза меньшим тепловым сопротивлением по сравнению со стандартным корпусом, таким как SuperSO8.

Сравнительный анализ эффективности MOSFET-транзисторов, выполненных по технологиям OptiMOSTM и OptiMOSTM 5

Отличительные особенности:

  • Наименьшее в своем классе устройств сопротивление открытого канала RDS(ON)
  • Эталонная эффективность переключения — лучшие показатели добротности по RDS(ON) x QG и RDS(ON) x QGD
  • Низкий уровень электромагнитных излучений за счёт встроенной подавляющей цепи
  • Наивысшая плотность мощности в корпусах S308 и Power Block
  • Снижают общую стоимость системы
  • Оптимизированы для применения в схемах с высокой частотой переключения

Область применения:

  • Настольные компьютеры и серверы
  • Одно- и многофазные преобразователи напряжения типа Point-Of-Load
  • Преобразователи напряжения схем питания центральных и графических процессоров в ноутбуках
  • Преобразователи напряжения с высокой плотностью мощности
  • Активные выпрямители (Or-ing архитектура)
  • Электронные предохранители

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

MOSFET-транзисторы OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В и 30 В на сайте Infineon (англ.)