Новые транзисторы CoolMOS™ C7 с напряжением сток-исток 600 В от компании Infineon обладают в два раза меньшей энергией выключения (EOFF) по сравнению с приборами предыдущей серии CoolMOSTM CP, обеспечивая уровень быстродействия, сопоставимый с транзисторами из нитрида галлия, в таких схемах как корректоры коэффициента мощности, двухтактные прямоходовые преобразователи и других приложениях с жестким режимом переключения.

Приложения, для которых критичным параметром является КПД и общая стоимость владения (TCO), будут иметь преимущество при использовании новых транзисторов CoolMOS™ C7. Кроме того, получение максимального КПД при полной нагрузке и снижение стоимости продукта станет возможным благодаря использованию для данного транзистора 4-выводного корпуса TO-247. Это достигнуто за счет уменьшения сопротивления открытого канала RDS(ON) до величины, меньшей, чем у традиционных транзисторов в 3-выводном корпусе (40 мОм против 70 мОм). Удвоенная рабочая частота переключения приведет к снижению затрат на магнитные компоненты: до 30% на медной обмотке и до 45% на материале сердечника.

Отличительные особенности:

  • Сниженные потери на переключение за счет меньшего заряда затвора QG и меньшей выходной емкости COSS позволяют транзистору работать на более высоких частотах
  • Сниженная на 50% по сравнению с предыдущим поколением транзисторов CoolMOS™ остаточная энергия сток-исток EOSS, сравнимая с транзисторами на основе нитрида галлия (GaN)
  • Очень низкое сопротивление открытого канала RDS(ON): менее 0.04 Ом
  • Улучшенные характеристики паразитного диода и сниженный заряд сток-исток QOSS

Преимущества:

  • Снижение затрат на магнитные компоненты на 30% и увеличенная частота переключения с 65 кГц до 130 кГц
  • Уменьшение в два раза размеров катушек индуктивности
  • Увеличение КПД в схемах корректоров коэффициента мощности и двухтактных прямоходовых преобразователей (TTF)
  • Снижение затрат на 10%, связанных с потерями энергии в источниках питания, благодаря применению 4-выводного корпуса TO-247
  • Меньшие размеры транзистора при одинаковом сопротивлении открытого канала RDS(ON) позволяют повысить плотность мощности
  • Прибор подходит для схем коррекции коэффициента мощности и высококачественных резонансных преобразователей структуры LLC

Область применения:

  • Схемы коррекции коэффициента мощности и схемы широтно-импульсной модуляции высокой мощности
  • Импульсные источники питания для
    • Персональных компьютеров
    • Серверов
    • Телекоммуникационного оборудования — подробная информация на сайте Infineon
  • Солнечные панели — подробная информация на сайте Infineon

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Подробнее о транзисторах CoolMOS™ C7 на сайте Infineon (англ.)