Новые IGBT-транзисторы семейства TRENCHSTOP™ 5 S5 предназначены для применения в схемах с частотой коммутации от 10 кГц до 40 кГц и обеспечивают более высокое КПД, меньшее время вывода на рынок конечного продукта, упрощают топологию печатной платы и снижают стоимость комплектующих.

Транзисторы снабжены функциями, позволяющими разработчикам достигать поставленных целей без увеличения сложности схемы:

  • Статическое поведение – низкое значение положительного температурного коэффициента напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) позволяет включать несколько транзисторов параллельно без ущерба эффективности при высоких температурах. При температуре 175°C типовая величина данного параметра не превышает 1.6 В.
  • Динамическое поведение – постоянная величина сопротивления резистора в цепи затвора для выбора состояния включено/выключено благодаря плавной характеристике переключения. Чистые сигналы управления затвором, плавная характеристика di/dt при включении и dv/dt при выключении, а также низкая величина и высокая симметричность выброса напряжения на фронте импульса.
Эволюция IGBT-транзисторов компании Infineon

 

Наименование IC @100°C
(А)		 VCE(sat)
(В)		 EON
(мДж)		 EOFF
(мДж)		 QG
(нКл)		 IF @100°C
(А)		 Qrr
(мкКл)
IKW30N65ES5 39.5 1.35 0.56 0.32 70 39.5 0.83
IKW40N65ES5 50 1.35 0.86 0.4 95 50 1.1
IKW50N65ES5 60.5 1.35 1.23 0.55 120 60.5 1.25
IKW75N65ES5 80 1.42 2.40 0.95 164 80 1.8

Отличительные особенности:

  • Очень низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) при температуре 25°C: 1.35 В, что на 20% меньше, чем у транзисторов семейства TRENCHSTOP™5 H5
  • Максимальный ток коллектора IC(n) при температуре 100°C в 4 раза выше номинального
  • Плавный спад переходных токовых характеристик с отсутствием выбросов тока
  • Низкая величина и высокая симметричность выброса напряжения на фронте импульса
  • Управляемый уровень напряжения затвор-эмиттер гарантирует отсутствие паразитной генерации и нежелательного включения прибора, а также исключает применение специальных схем для контроля данного напряжения
  • Максимальная температура перехода: TJ=175°C
  • Транзистор сертифицирован по стандартам JEDEC

Преимущества:/b>

  • Не требуется использование схем контроля пикового напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(peak)
  • Подходит для схем с одним резистором включения/выключения в цепи затвора
  • Не требуются компоненты контроля напряжения на затворе и драйверы затвора с подавлением эффекта Миллера
  • Пониженные требования к фильтрации электромагнитных помех
  • Превосходные возможности параллельного включения нескольких транзисторов

Область применения:

  • Схемы с жесткими режимами переключения
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Системы на основе фотоэлектрических компонентов
  • Накопители энергии
  • Зарядные устройства

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на IKW30N65ES5 (англ.)

Документация на IKW40N65ES5 (англ.)

Документация на IKW50N65ES5 (англ.)

Документация на IKW75N65ES5 (англ.)