Силовые MOSFET-транзисторы с оптимальным балансом легкости применения и высочайшей энергоэффективности.

Являясь дальнейшим развитием линейки 600-вольтовых транзисторов серии CoolMOS™ P6, новое поколение устройств серии CoolMOS™ P7 ориентировано на широкий спектр приложений — от маломощных импульсных источников питания до силовых каскадов наивысшей мощности, работающих в режиме жесткой или плавной коммутации. Серия транзисторов с рабочим напряжением 600 В CoolMOS™ P7 считается наиболее сбалансированной среди всех представителей семейства CoolMOS™ компании Infineon по таким показателям, как легкость применения (например, благодаря минимальному уровню «звона»), превосходный КПД переключения и конкурентоспособная цена.

Новые 600-вольтовые транзисторы CoolMOS™ P7 обеспечивают на 1.5% большую эффективность и греются на 4.2°C меньше, чем аналогичные конкурирующие продукты. Заряд затвора QG и накопленная энергия на выходной емкости EOSS новых транзисторов на 30…60% меньше, по сравнению с устройствами CoolMOS™ предыдущего поколения и конкурирующими решениями, что позволяет снизить потери на переключение в управляющем контуре, повысив тем самым КПД схемы в приложениях различного класса мощности. Более того, оптимизированное сопротивление открытого канала RDS(ON) позволяет снизить монтажную площадь и увеличить плотность мощности конечного решения.

Исключительная легкость применения транзисторов CoolMOS™ P7 достигается, в том числе, за счет тщательного отбора по характеристикам интегрированного резистора затвора. Помимо этого, внутренний паразитный диод с высокой перегрузочной способностью позволяет применять транзисторы в схемах как с жестким так и с плавным режимами коммутации. Наконец, вся линейка 600-вольтовых транзисторов CoolMOS™ P7 отличается стойкостью к электростатическим разрядам свыше 2 кВ (модель человеческого тела), что снижает вероятность выхода устройства из строя в процессе его монтажа. Транзисторы с сопротивлением открытого канала выше 100 мОм гарантируют надежную защиту от электростатических разрядов благодаря встроенному стабилитрону.

Отличительные особенности:

  • Превосходные коммутационные характеристики
  • Оптимальный баланс между эффективностью и простотой использования
  • Существенно меньшие потери на переключение и проводимость
  • Высокая стойкость к электростатическим разрядам: свыше 2 кВ по модели человеческого тела (HBM)
  • Меньшее сопротивление открытого канала RDS(ON) по сравнению с конкурирующими устройствами в аналогичных корпусах
  • Широкая линейка устройств, тщательно отобранных по параметру сопротивления открытого канала RDS(ON) и сертифицированных для применения в промышленных и потребительских приложениях

Ключевые преимущества:

  • Пригодны для применения в схемах с жестким и плавным режимами коммутации
  • Легкость применения и интеграции в пользовательское решение за счет малого уровня затухающих колебаний («звона») и возможности работы в составе каскадов широтно-импульсной модуляции и коррекции коэффициента мощности
  • Легкость управления тепловым режимом благодаря малым потерям на проводимость и переключение
  • Увеличенная плотность мощности за счет использования компонентов с меньшей опорной площадью корпуса
  • Пригодны для применения в широком спектре приложений различных классов мощности

Область применения:

  • Источники питания серверов и персональных компьютеров, плазменных и ЖК дисплеев, осветительных приборов, телекоммуникационного оборудования
  • Источники бесперебойного питания

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Подробнее о 600-вольтовых MOSFET-транзисторах семейства CoolMOS™ P7 на сайте Infimeion (англ.)