Компания Infineon расширяет линейку 600-вольтовых MOSFET-транзисторов семейства CoolMOS™ P7, предлагая максимально широкий выбор, тщательно подобранных по уровню сопротивления открытого канала RDS(ON), силовых ключей, выполненных по технологии супер-перехода (SJ).

Полевые транзисторы CoolMOS™ P7 компании Infineon предлагают наиболее сбалансированное решение, оптимально сочетая легкость применения и наивысшую в отрасли энергоэффективность.

Функциональная блок-схема транзисторов CoolMOS™ P7

Отличительные особенности:

  • Подходят для применения в схемах с плавным и жестким режимами коммутации (корректоры коэффициента мощности и резонансные преобразователи структуры LLC)
  • Простота использования и быстрая разработка конечного решения благодаря низкому уровню «звона» транзистора
  • Упрощение конструкции системы охлаждения за счет низких потерь на переключение
  • Большая отказоустойчивость благодаря стойкости к электростатическим разрядам свыше 2 кВ (по модели человеческого тела)
  • Большая плотность мощности благодаря применению корпусов меньших размеров
  • Подходят для широкого спектра приложений и диапазонов мощности
  • Значительно увеличенная стойкость к коммутационным переходным процессам
  • Оптимальное соотношение энергоэффективности и простоты использования
  • Значительное снижение потерь на переключение и потерь проводимости
  • Улучшенное соотношение сопротивления открытого канала RDS(ON) к площади кристалла в сравнении с конкурирующими продуктами: менее 1 Ом/мм2

Область применения:

  • Источники питания персональных компьютеров, серверов, телекоммуникационного оборудования
  • Инверторы солнечных панелей
  • Зарядные станции для электромобилей
  • Твердотельные источники света

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Подробнее о 600-вольтовых MOSFET-транзисторах CoolMOS™ P7 на сайте Infineon (англ.)