Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
17 Янв
Компактнее, быстрее, холоднее
Компания NXP представляет серию высокопроизводительных, N-канальных MOSFET-транзисторов логического уровня в корпусах LFPAK.
Новые транзисторы серии NextPower от компании NXP обеспечивают уникально сбалансированные характеристики по шести наиболее важным параметрам, необходимым в современных высокоэффективных и надежных приложениях.
Большинство производителей фокусирует внимание на оптимизации только таких параметров как сопротивление открытого канала RDS(ON) и заряд затвора QG. Поскольку величина заряда затвора постоянно снижается, потери, связанные с величиной выходного заряда QOSS и заряда затвор-сток QGD, становятся более существенными. Транзисторы NextPower используют технологию суперперехода (Superjunction), обеспечивая оптимальный баланс между низкими значениями сопротивления открытого канала, выходного заряда, суммарного заряда затвора и заряда затвор-сток для максимальной эффективности коммутации.
Транзисторы серии NextPower также отличаются минимальным уровнем RDS(ON), не превышающим 1 мОм, как для 25- так и для 30-вольтовых версий.
Отличительные особенности:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Брошюра по MOSFET-транзисторам серии NextPower компании NXP (англ.)
![]() |
Подпишись на новости! |