Кремний-германиевый сверхвысокочастотный NPN-транзистор для быстродействующих малошумящих схем в пластиковом корпусе SOT343F. Прибор имеет два вывода эмиттера.

Новейшая модель транзистора BFU768F является представителем семейства, в которое входят приборы, выполненные на основе кремний-германиевого с добавлением углерода (SiGe:C) технологического процесса, а также сочетающие в себе биполярную и КМОП-технологию для СВЧ-радиодиапазона (QUBiC4 Si). Данная модель обладает очень низким собственным шумом при высоком коэффициенте усиления и работе в слаботочном режиме. Это позволяет строить радиоприёмные устройства с малым напряжением питания и надёжной работой в условиях сильных помех.

Отличительные особенности:

  • Низкий уровень собственных шумов и высокая линейность
  • Произведен с использованием высоконадежного технологического процесса QUBiC4 SiGe:C (fT = 110 ГГц)
  • Оптимальная линейность для режима малых токов и высокого усиления
  • Низкий уровень шума: 0.50 дБ на частоте 2.4 ГГц и 0.74 дБ – на 5.8 ГГц
  • При использовании этого транзистора в малошумящих усилителях для систем Wi-Fi нелицензируемых диапазонов ISM 2,4 ГГц и U-NII 4,9 – 5,9 ГГц сокращается число дискретных компонентов схемы. Оптимальными для этого случая являются следующие характеристики:
    • Малый ток: 10.8 мА
    • Коэффициент шума < 1.2 дБ
    • Усиление: 13.1 дБ на частоте 2.4 ГГц и 12.2 дБ — на 5 ГГц
    • Уровень интермодуляционных искажений третьего порядка по входу (IP3i) : 15.7 дБм на 2.4 ГГц, 18.8 дБм на 5 ГГц
    • Очень малое время переключения
    • Высокая стабильность

Область применения:

  • Схемы с высокой линейностью
  • Усилители средней выходной мощности
  • Беспроводные системы Wi-Fi / WLAN / WiMAX
  • Сетевые протоколы ZigBee

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на BFU768F (англ.)